[发明专利]缩小写磁极斜交角变化范围的方法及使用该方法的写磁极有效
申请号: | 201310042443.2 | 申请日: | 2013-02-04 |
公开(公告)号: | CN103177735A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 徐庶;刘波;陈进才 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G11B5/58 | 分类号: | G11B5/58;G11B5/02 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 朱仁玲 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缩小 磁极 交角 变化 范围 方法 使用 | ||
1.一种缩小写磁极斜交角变化范围的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)判断写磁极是否需要写内记录区,如果需要,则进入步骤(2),如果不需要,则进入步骤(4);
(2)写磁极采用瓦记录方式,利用内区写角首先写所需记录的起始磁道,然后进入步骤(3);
(3)写磁极始终由内区朝外区方向移动,并在移动过程中依次逐步写入各条磁道,每次写的当前磁道都会覆盖上一磁道一部分,直至所需写入内记录区的信息全部写完为止;
(4)判断写磁极是否需要写外区,如果需要,则进入步骤(5),如果不需要,则进入步骤(7);
(5)写磁极采用瓦记录方式,利用外区写角首先写所需记录的起始磁道,然后进入步骤(6);
(6)写磁极始终由外区朝内区方向移动,并在移动过程中依次逐步写入各条磁道,每次写的当前磁道都会覆盖上一磁道一部分,直至所需写入外记录区的信息全部写完为止;
(7)写磁极采用常规记录方式写中间记录区。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,内区的范围是盘片最内磁道和中区内边界磁道之间的区域,外区的范围是中区外边界磁道与盘片最外磁道之间的区域,中区的范围是中区内边界磁道和中区外边界磁道之间的区域。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,中区内边界磁道与中区外边界磁道是除了最内磁道和最外磁道之外的任意磁道,且中区内边界磁道与中区外边界磁道可以为同一条磁道,也可以为两条不同的磁道,且如果为两条不同的磁道,中区内边界磁道比中区外边界磁道更靠近最内磁道。
4.一种使用根据权利要求1所述方法的写磁极。
5.一种使用根据权利要求1所述方法的写磁极,其特征在于,
包括内区写角和外区写角;
内区写角的大小α1可调节,且调节范围为50°~120°;
外区写角的大小α2可调节,且调节范围为50°~120°。
6.一种使用根据权利要求1所述方法的写磁极,其特征在于,
包括内区写角和外区写角;
内区写角的大小α1可调节,调节范围为50°~120°;
外区写角的大小α2可调节,调节范围为50°~120°;
内区写角的起始斜交角大小可调,其调节范围为-30°~30°;
外区写角的起始斜交角大小可调,其调节范围为-30°~30°。
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