[发明专利]薄膜配线形成方法及薄膜配线有效
| 申请号： | 201310042051.6 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103258725B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 森晓 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L29/43 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 康泉,王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 线形 成方 | ||
1.一种薄膜配线形成方法，其通过使用Cu-Ca合金靶的溅射法进行成膜，其特征在于，
使用具有Ca为0.5at%以上且不到5at%、剩余部分为Cu及不可避免杂质的组成的Cu-Ca合金靶以所述溅射法形成Cu-Ca合金膜之后，
在氧气分压为10-4～10-10气压的含微量氧的惰性气体气氛中，以300～700℃对所述合金膜进行热处理。
2.如权利要求1所述的薄膜配线形成方法，其特征在于，
所述Cu-Ca合金膜的平均膜厚为10～500nm。
3.如权利要求1或2所述的薄膜配线形成方法，其特征在于，
形成所述Cu-Ca合金膜之后，在Cu-Ca合金膜上形成Cu膜。
4.如权利要求1或2所述的薄膜配线形成方法，其特征在于，
所述热处理后，在Cu-Ca合金膜上形成Cu膜。
5.一种薄膜配线，其特征在于，通过权利要求1或2的方法形成，
以俄歇电子能谱法测定的所述Cu-Ca合金膜在膜厚方向上的Ca含有比例的峰值相对于Cu与Ca的总量为0.5at%以上且不到5at%。
6.一种薄膜配线，其特征在于，通过权利要求3的方法形成，
以俄歇电子能谱法测定的所述Cu-Ca合金膜在膜厚方向上的Ca含有比例的峰值相对于Cu与Ca的总量为0.5at%以上且不到5at%。
7.一种薄膜配线，其特征在于，通过权利要求4的方法形成，
以俄歇电子能谱法测定的所述Cu-Ca合金膜在膜厚方向上的Ca含有比例的峰值相对于Cu与Ca的总量为0.5at%以上且不到5at%。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
