[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，所述芯片包括衬底、依次层叠在所述衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、量子阱发光层、p型层，其特征在于，所述不掺杂的GaN层的与所述n型层接触的表面上设有若干个孔洞，每个所述孔洞中沉积有荧光粉，且每个所述孔洞中的所述荧光粉的厚度小于所述孔洞的深度。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述若干个孔洞均匀分布在所述不掺杂的GaN层的与所述n型层接触的表面上。

3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，相邻的所述孔洞的孔心的间距为1～8μm。

4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述孔洞的深度为0.2～1μm，所述孔洞的孔径为0.5～4μm。

5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述荧光粉的厚度为20～100nm。

6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述n型层包括第一n型层和第二n型层，所述第一n型层包括若干个依次层叠在所述不掺杂的GaN层上的且n型掺杂浓度依次递增的子n型层，所述第二n型层包括若干个依次层叠在所述第一n型层上的且所述n型掺杂浓度相同的子n型层，且所述第二n型层的厚度大于所述第一n型层的厚度。

7.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述p型层包p型Al_xIn_yGa_1-x-yN层和p型接触层；其中，0＜x＜1，0≤y＜1，x+y＜1。

8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述p型层的p型掺杂为Mg掺杂，且其中Mg与Ga的摩尔比为1/100～1/4。

9.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，并在所述衬底上生长缓冲层；

在所述缓冲层上生长不掺杂的GaN层；

在所述不掺杂的GaN层的表面刻蚀若干个孔洞，并在所述孔洞中蒸镀荧光粉，且每个所述孔洞中的所述荧光粉的厚度小于所述孔洞的深度；

在所述不掺杂的GaN层上依次生长n型层、量子阱发光层以及p型层。

10.根据权利要9所述的方法，其特征在于，所述在所述不掺杂的GaN层的表面刻蚀若干个孔洞，具体包括：

采用反应离子刻蚀法在不掺杂的GaN层的表面刻蚀孔洞，所述孔洞均匀分布在所述不掺杂的GaN层的表面。