[发明专利]一种高调谐线性度宽调谐范围环形压控振荡器有效

专利信息
申请号: 201310040693.2 申请日: 2013-02-03
公开(公告)号: CN103117706A 公开(公告)日: 2013-05-22
发明(设计)人: 张长春;房军梁;陈德媛;郭宇锋;方玉明;李卫;刘蕾蕾 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H03B5/32 分类号: H03B5/32
代理公司: 江苏爱信律师事务所 32241 代理人: 唐小红
地址: 210003 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 调谐 线性 范围 环形 压控振荡器
【权利要求书】:

1.一种高调谐线性度宽调谐范围环形压控振荡器,其特征在于所述环形压控振荡器由串联的四级延迟单元组成,其中第一级延迟单元的输出(1Vout-,1Vout+)接第二级延迟单元的主输入端(2Vp+,2Vp-)同时交叉接第三级的次输入端(3Vs-,3Vs+),第二级延迟单元的输出(2Vout-,2Vout+)接第三级延迟单元的主输入端(3Vp+,3Vp-)同时接第四级延迟单元的次输入端(4Vs+,4Vs-),第三级的输出(3Vout-,3Vout+)接第四级的主输入端(4Vp+,4Vp-)同时接第一级的次输入端(1Vp+,1Vp-),第四级的输出(4Vout-,4Vout+)交叉连接至第一级的主输入端(1Vp-,1Vp+)同时接第二级的次输入端(2Vs+,2Vs-)。

2.按照权利要求1所述的高调谐线性度宽调谐范围环形压控振荡器,其特征在于所述的延迟单元包括第一对NMOS管(M1a,M1b)、第二对NMOS管(M2a,M2b)、第三对NMOS管(M3a,M3b)、第一对PMOS管(M4a,M4b)、第二对PMOS管(M5a,M5b)、第三对PMOS管(M6a,M6b),其中第一对NMOS管(M1a,M1b)为主输入差分对管,其栅极分别接差分输入信号(Vp+)和(Vp-),漏极分别接差分输出节点(Vout-)和(Vout+),源极都接地;第二对NMOS管(M2a,M2b)交叉耦合连接,其栅极分别接第三对NMOS管(M3a,M3b)的源极,漏极分别接输出节点(Vout-)和(Vout+),源极接地;第三对NMOS管(M3a,M3b)为第二对NMOS管的耦合强度控制管,其栅极接控制电压,漏极分别接输出节点(Vout-)和(Vout+),源极分别接第二对NMOS管(M2a,M2b)的漏极;第一对PMOS管(M4a,M4b)为次输入差分对管,栅极分别接环路前两级提供的前馈差分信号(Vs+)和(Vs-),漏极接输出节点(Vout-)和(Vout+),源极接电源VDD;第二对PMOS管(M5a,M5b)的栅极接控制电压,漏极接输出节点(Vout-)和(Vout+)源极接电源VDD;第三对PMOS管(M6a,M6b)交叉耦合连接,栅极分别接输出节点(Vout+)和(Vout-),漏极接输出节点(Vout-)和(Vout+),源极接电源VDD。

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