[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜的共电沉积制备方法无效
申请号: | 201310040588.9 | 申请日: | 2013-02-03 |
公开(公告)号: | CN103060861A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 向勇;张海涛;谢梦;张庶 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C25D3/58 | 分类号: | C25D3/58;C23C8/62 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610017 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铜锌锡硫 薄膜 沉积 制备 方法 | ||
1.一种铜锌锡硫薄膜的共电沉积制备方法,其特征是,其步骤包括:1)将含铜、锌、锡三种金属阳离子的盐和络合物溶解于水中;2)使用三电极法将阴极、阳极分别与导电衬底、惰性阳极连接,同时将参比电极置于溶液中且不与阴阳极连通;3)打开电源,采用固定电位共沉积铜、锌、锡三种金属;4)取出沉积的前驱体将其干燥;5)将前驱体通过热处理得到铜锌锡硫薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜的共电沉积制备方法,其特征是,步骤1中铜、锌、锡三种金属阳离子浓度范围为10mM~1M。
3.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜的共电沉积制备方法,其特征是,步骤1中的络合物为柠檬酸盐、酒石酸、酒石酸盐、焦磷酸盐中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜的共电沉积制备方法,其特征是,步骤1中的络合物浓度范围为0mol/L~5mol/L。
5.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜的共电沉积制备方法,其特征是,步骤2的导电衬底为不锈钢、ITO或镀有导电层的绝缘材料中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜的共电沉积制备方法,其特征是,步骤2的惰性阳极为铂或者石墨。
7.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜的共电沉积制备方法,其特征是,步骤4中的干燥方法为烘干、吹干或自然干燥。
8.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜的共电沉积制备方法,其特征是,步骤5中的热处理过程中采用的气体是氦气、氩气、氮气、硫气、硫化氢中的一种或几种。
9.根据权利要求1所述的一种铜锌锡硫薄膜的共电沉积制备方法,其特征是,步骤5中的热处理时间范围为1分钟~24小时。
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