[发明专利]一种渐变AlGaN层的制备方法及采用该方法得到的器件有效
| 申请号： | 201310040189.2 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103117209A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 张佰君;杨亿斌 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/20 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 渐变 algan 制备 方法 采用 得到 器件 | ||
1.一种渐变AlGaN层的制备方法，在生长渐变AlGaN层之前，首先在衬底上生长一层AlN缓冲层；生长渐变AlGaN层的方法为：在反应室中通入NH3、三甲基铝和三甲基镓，其中通入的三甲基铝流量逐渐减少，三甲基镓流量逐渐增加；其特征在于，
三甲基铝流量的函数为：
；
三甲基镓流量的函数为：
；
其中，x为渐变AlGaN层生长的归一化时间，m、n不同时为1。
2.根据权利要求1所述的渐变AlGaN层的制备方法，其特征在于，所述渐变AlGaN层的生长方法为金属有机化学气相沉积法、分子束外延法、化学分子束外延法或氢化物气相外延法。
3.根据权利要求2所述的渐变AlGaN层的制备方法，其特征在于，所述渐变AlGaN层生长温度为900 ~ 1100℃，生长压强为50 ~ 200 mbar，V/III比为500 ~ 4000。
4.根据权利要求1所述的渐变AlGaN层的制备方法，其特征在于，所述渐变AlGaN层厚度为0.8 ~ 2μm。
5.根据权利要求1所述的渐变AlGaN层的制备方法，其特征在于，所述三甲基铝的流量范围为400~0sccm，三甲基镓的流量范围为0~200 sccm。
6.根据权利要求5所述的渐变AlGaN层的制备方法，其特征在于，所述三甲基铝的流量范围为100 ~5sccm，所述三甲基镓的流量范围是3~15 sccm。
7.根据权利要求1所述的渐变AlGaN层的制备方法，其特征在于，所述AlN缓冲层和GaN薄膜的生长方法为金属有机化学气相沉积法、分子束外延法、化学分子束外延法或氢化物气相外延法。
8.根据权利要求1所述的渐变AlGaN层的制备方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度范围是50 ~ 300nm。
9.根据权利要求1所述的渐变AlGaN层的制备方法，其特征在于，所述衬底为Si衬底、SiC衬底或蓝宝石衬底。
10.一种采用权利要求1-9所述的渐变AlGaN层的制备方法得到的器件，其特征在于，从下往上依次包括衬底、AlN缓冲层和渐变AlGaN层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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