[发明专利]一种防窃电方法及防窃电装置

权利要求书

1.一种防窃电方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、在供电端破坏每相交流电的正弦波波形特征；

步骤2、将被坏了正弦波波形特征的交流电传送到用电端；

步骤3、在用电端恢复被破坏了的每相交流电的正弦波波形状特征。

2.根据权利要求1所述的防窃电方法，其特征在于：步骤1中将交流电波的正半周相位的波形和负半周相位的波形分离，步骤2中分别将分离后的正、负半周相位波形电波分别传送到用电端，步骤3中在用电端将分别接收到的正、负半周相位波形电波结合恢复该相正弦交流电波。

3.根据权利要求2所述的防窃电方法，其特征在于：所述的步骤3中，包括如下步骤：

步骤31、接收正半周相位波形电波；

步骤32、进行第一次相位过零检测，检测由正半周相位波形电波过零到负半周相位波形电波的过零点时刻；

步骤33、检测到过零点后产生触发信号，关闭正半周相位波形电波输出，开始输出负半周相位波形电波；

步骤34、接收负半周相位波形电波；

步骤35、进行第二次相位过零检测，检测由负半周相位波形电波过零到正半周相位波形电波的过零点时刻；

步骤36、检测到过零点后产生触发信号，关闭负半周相位波形电波输出，转向步骤31。

4.根据权利要求3所述的防窃电方法，其特征在于：所述的步骤32中第一次相位过零检测，是检测到信号从正电压到零点，所述的步骤34中第二次相位过零检测，是检测到信号从负电压到零点。

5.一种防窃电装置，包括供电端和用电端以及将供电端与用电端相连接的输电电线；

其特征在于：在所述的供电端设置有将交流电波波形分开成正半周相位波形和负半周相位波形的分相器，在所述的用电端设置有将交流电波波形的正半周相位波形和负半周相位波形结合恢复成完整交流电波的合相器，所述的输电电线分别将正半周相位波形和负半周相位波形的交流电波波形从所述的分相器传送到合相器。

6.根据权利要求5所述的防窃电装置，其特征在于：

所述的输电电线包括正半周相位波形传输线、负半周相位波形传输线和零线传输线，其中，正半周相位波形传输线和负半周相位波形传输线上所传输的电流是原相线的一半；所述的分相器包括二极管D1和二极管D2；所述的二极管D1的阳极接电源输入端，二极管D1的阴极接正半周相位波形传输线；所述的二极管D2的阴极接电源输入端，二极管D2的阳极接负半周相位波形传输线；

所述的合相器包括单向可控硅SCR1和单向可控硅SCR2；所述的单向可控硅SCR1的阳极接正半周相位波形传输线，单向可控硅SCR1的阴极接输出端，并单向可控硅SCR2的阳极接输出端，单向可控硅SCR2的阴极接负半周相位波形传输线；所述的单向可控硅SCR1和单向可控硅SCR2的栅极分别接控制电路，所述的控制电路在正半周时控制单向可控硅SCR1导通，在负半周时，控制单向可控硅SCR2导通。

7.根据权利要求6所述的防窃电装置，其特征在于：所述的控制电路包括相位过零检测电路、微处理器和光耦隔离触发电路；

所述的过零检测电路包括正半周相位波形过零检测电路和负半周相位波形过零检测电路；

所述的光耦隔离触发电路包括触发单向可控硅SCR1的第一光耦隔离触发电路和触发单向可控硅SCR2的第二光耦隔离触发电路；

所述的正半周相位波形过零检测电路和负半周相位波形过零检测电路的输出分别接所述的微处理器输入，所述的第一光耦隔离触发电路和第二光耦隔离触发电路的控制端分别接所述的微处理器输出。