[发明专利]线圈驱动电路无效

专利信息
申请号: 201310039729.5 申请日: 2013-01-31
公开(公告)号: CN103973174A 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 孙颂伟;黄伟财;林昱安 申请(专利权)人: 奇鋐科技股份有限公司
主分类号: H02P6/00 分类号: H02P6/00;H02H9/04
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 史霞
地址: 中国台湾新北市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 线圈 驱动 电路
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种短路防止电路,尤指一种应用于马达线圈的线圈驱动电路。

背景技术

按,近年来随着电子产业的发展,电子元件的性能迅速提升,运算处理速度越来越快,且其内部晶片组的运算速度不断提升,晶片数量也不断增加,而前述晶片在工作时所散发的热量也相应增加,如果不将这些热量即时散发出去,将极大影响电子元件的性能,使电子元件的运算处理速度降低,并随着热量的不断累积,还可能烧毁电子元件,因此散热已成为电子元件的重要课题之一。

在散热装置中,以散热风扇为例,因散热风扇可将散热鳍片组所吸收的热量快速排除,以令散热循环效果良好,故散热风扇已成为不可或缺的零组件之一。

而前述散热风扇主要是利用马达带动来使其运转;一般而言,直流无刷马达(Brushless dc motors,简称BLDC)由于好保养、控制性佳及性能与效率优异,早已经成为工业界的宠儿,其中小功率的应用如硬碟机与光碟机内部的马达,大功率的应用如电动车的马达装置,都可以利用直流无刷马达得到高效率、转速稳定、高扭力、耐用、容易保养的特性。

而马达则主要是利用电流的通过来驱动其线圈,而其线圈的驱动方式则是由对应的电路板上的控制晶片产生控制讯号至电晶体,请参阅第1图所示,为目前线圈驱动回路1的电路示意图,其中该接点A及接点D同时为高电位时,其对应的第一电晶体Q1导通,进而使其第二电晶体Q2也导通且其电流流向由第二电晶体Q2流向线圈(Coil),再由线圈流向第六电晶体Q6完成正确的电流流通方向通过线圈进而驱动线圈;又或其中该接点B及接点C同时为高电位时,其对应的第三电晶体Q3导通,进而使其第四电晶体Q4也导通且其电流流向由第四电晶体Q4流向线圈,再由线圈流向第五电晶体Q5完成正确的电流流通方向通过线圈进而驱动线圈。

但电路板上的控制晶片产生异常情况时,其所产生的控制讯号就会使其接点A及接点C同时为高电位,而其电流流向就会由第二电晶体Q2直接流至第五电晶体Q5,其相当于输入端与接地点直接短路,进而造成第二电晶体Q2与第五电晶体Q5因电流过大而损毁的现象产生;又或其接点B及接点D同时为高电位,而其电流流向就会由第四电晶体Q4直接流至第六电晶体Q6,其相当于输入端与接地点直接短路,进而造成第四电晶体Q4与第六电晶体Q6因电流过大而损毁的现象产生与造成增加成本的缺失。

因此,要如何解决上述公用的问题与缺失,即为本案的发明人与从事此行业的相关厂商所亟欲研究改善的方向所在。

发明内容

为此,为有效解决上述的问题,本发明的主要目的在提供一种具有可避免讯号异常而造成电晶体损毁的线圈驱动电路。

本发明的另一目的,是在提供一种节省成本及结构简单的线圈驱动电路。

为达上述目的,本发明提供一种线圈驱动电路,包括一第一驱动单元、一线圈单元、一第二驱动单元、一第三驱动单元、第四驱动单元、一第一保护单元及一第二保护单元,所述第一、二、三、四驱动单元各具有一第一输入端、第二输入端、第三输入端及第四输入端。

并该第一驱动单元与第二驱动单元分别具有一第一电晶体及一第二电晶体与一第三电晶体及一第四电晶体,其中该第一电晶体连接所述第一输入端及第二电晶体,该第三电晶体连接所述第二输入端及第四电晶体,而该第二电晶体与第四电晶体分别连接至线圈单元的两端。

所述第三驱动单元与第四驱动单元分别具有相互连接的一第三输入端及一第五电晶体与一第四输入端及一第六电晶体,该第五电晶体另连接所述线圈单元的第一连接端及第二电晶体,而该该第六电晶体另连接所述线圈单元的第二连接端及第四电晶体。

所述第一保护单元与第二保护单元分别具有一第一开关元件及一第一阻抗元件及一第二开关元件及一第二阻抗元件,该第一开关元件连接所述第一组抗元件及第一电晶体,而该第二开关元件连接所述第二组抗元件及第三电晶体;藉此所述线圈驱动回路讯号异常时,可经由所述第一保护单元及第二保护单元防止短路现象产生,进而可避免电晶体因讯号异常所产生电流过大损毁的效果。

附图说明

图1是公知的电路示意图;

图2是本发明的较佳实施例的方块示意图;

图3是本发明的较佳实施例的另一方块示意图;

图4是本发明的较佳实施例的电路示意图。

线圈驱动电路2

第一驱动单元21

第一输入端211

第一电晶体Q1

第二电晶体Q2

第三电晶体Q3

第四电晶体Q4

第五电晶体Q5

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