[发明专利]一种激光光伏电池及其制作方法

权利要求书

1.一种激光光伏电池，包括隔离槽，该隔离槽将所述的光伏电池分隔成多个电池单元，电池单元之间串联连接，其特征在于：所述的隔离槽的内壁表面上依次形成有聚酰亚胺层、介质膜层和金属遮光层，所述的光伏电池包括依次形成于半绝缘衬底上的P型导电层、P/N结电池、N型窗口层和N型接触层，所述的隔离槽分别贯穿所述N型接触层、N型窗口层、P/N结电池和P型导电层。

2.根据权利要求1所述的激光光伏电池，其特征在于：所述的光伏电池还包括位于所述P型导电层和P/N结电池之间的势垒层。

3.根据权利要求2所述的激光光伏电池，其特征在于：所述势垒层为P型的AlGaAs((Al)GaInP)。

4.根据权利要求2所述的激光光伏电池，其特征在于：所述的P/N结电池包括依次形成于所述势垒层上的P型吸收层和N型吸收层。

5.根据权利2至4任一所述的激光光伏电池，其特征在于：所述的半绝缘衬底、P型导电层、以及N型接触层的材料均为GaAs，所述P/N结电池为GaAs电池，所述N型窗口层的材料为Al_xGa_1-xAs(x≥0.2)或Ga_0.51In_0.49P。

6.根据权利要求1所述的激光光伏电池，其特征在于：所述介质膜层的材质为SiN 或SiO₂。

7.根据权利要求1所述的激光光伏电池，其特征在于：所述聚酰亚胺层的表面被所述的介质膜层完全覆盖，所述的金属遮光层与所述的接触层之间绝缘。

8.权利要求1至7任一所述的激光光伏电池的制作方法，其特征在于，包括：

（1）在半绝缘衬底上生长P型导电层；

（2）在上述P型导电层上生长势垒层；

（3）在上述势垒层上依次生长P型吸收层和N型吸收层形成P/N结电池；

（4）在上述P/N结电池上生长N型窗口层；

（5）在上述N型窗口层上生长N型接触层用作欧姆接触；

（6）依次刻蚀N型接触层、N型窗口层、P/N结电池、势垒层、P型导电层直至露出半绝缘衬底或部分刻蚀半绝缘衬底以形成隔离槽；

（7）在隔离槽中依次采用聚酰亚胺层、介质膜层和金属遮光层形成的三层结构对隔离槽底部及其侧壁进行覆盖；

（8）制备正电极、负电极、减反射层以及电极引线，获得目标产品。

9.根据权利要求8所述的激光光伏电池的制作方法，其特征在于：所述导电层为P型掺杂浓度1×10¹⁸ cm^-3以上的GaAs导电层；所述势垒层为掺杂浓度1×10¹⁸ cm^-3以上的P型AlGaAs((Al)GaInP) 势垒层；所述N型窗口层为掺杂浓度在1×10¹⁸ cm^-3以上的窗口层；所述N型接触层为掺杂浓度在2×10¹⁸ cm^-3以上的GaAs接触层。

10.根据权利要求8所述的激光光伏电池的制作方法，其特征在于：所述步骤（8）中，依次刻蚀N型接触层、N型窗口层、P/N结电池、P型势垒层，直至露出P型导电层以形成正电极窗口，而后再经该正电极窗口于P型导电层上制备正电极，在N型接触层上制备负电极。