[发明专利]一种P型异质结太阳电池及其制作方法

权利要求书

1.一种P型异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

a、提供一定向凝固法制备的P型硅片；

b、对所述P型硅片进行表面除杂清洗，去除其表面杂质；

c、对表面除杂清洗后的P型硅片的进行制绒和清洗；

d、在所述P型硅片上形成正面结构和背面结构；

其中，所述正面结构包括：位于所述P型硅片上表面的第一本征非晶硅层；位于所述第一本征非晶硅层上表面的N型非晶硅层；位于所述N型非晶硅层上表面的第一透明导电薄膜；所述背面结构包括：位于所述P型硅片下表面的第二本征非晶硅层；位于所述第二本征非晶硅层下表面的P型非晶硅层；位于所述P型非晶硅层下表面的第二透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在b和c之间还包括：

对表面除杂清洗后的P型硅片进行吸杂，去除其内部杂质。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述P型硅片进行表面除杂清洗包括：

对所述P型硅片进行第一次清洗，将所述P型硅片放入第一清洗试剂进行清洗，所述第一清洗剂中氨水、双氧水和水的体积比为1：（1~2）：（5~7）；

对所述P型硅片进行第二次清洗，将所述P型硅片放入KOH溶液中进行清洗，所述KOH溶液的浓度为1%~40%；

对所述P型硅片进行第三次清洗，将所述P型硅片放入HF溶液中进行清洗，所述HF溶液的浓度为1%~15%；

对所述P型硅片进行水洗后进行干燥处理。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对表面除杂清洗后的P型硅片进行吸杂为对所述P型硅片进行磷吸杂。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述P型硅片进行磷吸杂包括：

将所述P型硅片放入扩散炉进行磷吸杂，扩散试剂为三氯氧磷。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对表面除杂清洗后的P型硅片进行制绒和清洗包括：

将所述P型硅片放入碱性溶液中进行制绒；

制绒后，将所述P型硅片放入第二清洗试剂进行清洗，所述第二清洗试剂中盐酸、双氧水和水的体积比为1：（1~2）：（6~8）；

再将所述P型硅片放入HF溶液中进行清洗，所述HF溶液的浓度为1%~15%；

对所述P型硅片进行水洗后进行干燥处理。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述P型硅片上形成正面结构和背面结构包括：

在所述P型硅片上形成第一本征非晶硅层以及第二本征非晶硅层，所述第一本征非晶硅位于所述P型硅片的上表面，所述第二本征非晶硅层位于所述P型硅片的下表面；

在所述第一本征非晶硅层上表面形成N型非晶硅层；

在所述第二本征非晶硅层下表面形成P型非晶硅层；

形成第一透明导电薄膜以及第二透明导电薄膜，所述第一透明导电薄膜位于所述N型非晶硅层上表面，所述第二透明导电薄膜位于所述P型非晶硅层下表面；

其中，所述第一本征非晶硅层、N型非晶硅层以及第一透明导电薄膜构成所述正面结构；所述第二本征非晶硅层、P型非晶硅层以及第二透明导电薄膜构成所述背面结构。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一透明导电薄膜表面形成正面栅线，在所述第二透明导电薄膜表面形成背面栅线；

通过烧结使所述正面栅线与所述第一透明导电薄膜形成欧姆接触，使所述背面栅线与所述第二透明导电薄膜形成欧姆接触。

9.一种P型异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

定向凝固法制备的P型硅片；

位于所述P型硅片上表面的正面结构；

位于所述P型硅片下表面的背面结构；

其中，所述正面结构包括：位于所述P型硅片上表面的第一本征非晶硅层；位于所述第一本征非晶硅层上表面的N型非晶硅层；位于所述N型非晶硅层上表面的第一透明导电薄膜；所述背面结构包括：位于所述P型硅片下表面的第二本征非晶硅层；位于所述第二本征非晶硅层下表面的P型非晶硅层；位于所述P型非晶硅层下表面的第二透明导电薄膜。

10.根据权利要求9所述的P型异质结太阳能电池，其特征在于，还包括：

位于所述第一透明导电薄膜上表面的正面栅线；

位于所述第二透明导电薄膜下表面的背面栅线；

其中，所述正面栅线与所述第一透明导电薄膜欧姆接触，所述背面栅线与所述第二透明导电薄膜欧姆接触。