[发明专利]多级正交磁饱和式可控电抗器

权利要求书

1.一种多级正交磁饱和式可控电抗器，其主体结构由上铁轭、下铁轭、导磁芯柱、旁轭、工作绕组组成，工作绕组套装在导磁芯柱上，其特征在于：所述导磁芯柱由多个正交磁控铁芯饼和不可控铁芯饼交错排列叠压组成；所述正交磁控铁芯饼由磁控铁芯和绕制在铁芯上的控制绕组构成，励磁电流流过控制绕组，在正交磁控铁芯饼内产生控制磁通，其方向和电抗器的交流主磁通的方向呈90度正交；所述不可控铁芯饼始终处于不饱和状态，正交磁控铁芯饼的磁饱和程度由励磁电流的大小控制。

2.根据权利要求1所述的多级正交磁饱和式可控电抗器，其特征在于，所述正交磁控铁芯饼截面面积与不可控铁芯饼截面面积相等或不相等，正交磁控铁芯饼截面形状为圆环形、口字形、日字形或其他任意形状。

3.根据权利要求1所述的多级正交磁饱和式可控电抗器，其特征在于，所述正交磁控铁芯饼的组成除了包括磁控铁芯、绕在磁控铁芯上的控制绕组外，还包括相应的保护垫块，所述保护垫块由抗压非磁性材料制成，其厚度以保护控制绕组不受挤压并尽可能薄，大小形状不限。

4.根据权利要求1所述的多级正交磁饱和式可控电抗器，其特征在于，所述正交磁控铁芯饼具有三种工作状态：1.深度磁饱和状态，其特性接近于气隙，不会产生谐波；2.无励磁状态，对主磁通无任何影响，也不会产生谐波；3.“半饱和”连续调节状态，工作在这种状态下，电抗器会有谐波产生，但只要控制处于“半饱和”连续调节状态的可控铁芯饼的数量，就能够有效抑制谐波。

5.根据权利要求4所述的多级正交磁饱和式可控电抗器，其特征在于，所述可控电抗器采用如下控制方法：在具有多个正交磁控铁芯饼的导磁芯柱里只选择一个正交磁控铁芯饼，使其工作在“半饱和”连续调节状态，而其余的正交磁控铁芯饼则根据电抗器容量调节的需要，迅速调至深度磁饱和状态或无励磁状态，即能实现可控电抗器的无级平滑调节。