[发明专利]具有边缘终端结构的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

半导体本体，所述半导体本体包括第一表面、内部区和边缘区；

在内部区和边缘区中的第一掺杂类型的第一掺杂器件区；

第二器件区，所述第二器件区与第一器件区一起在内部区中形成器件结；

多个至少两个介电区，所述多个至少两个介电区从第一表面延伸到半导体本体中，其中在半导体本体的横向方向上邻近的两个介电区通过半导体台面区被分离；以及

电阻层，所述电阻层被连接到第二器件区并且被连接到至少一个半导体台面区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，电阻层具有在1e3Ωmm²/m到1e7Ωmm²/m之间的电阻率。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，电阻层包括半绝缘材料。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，半绝缘材料是非晶的或多晶的半导体材料。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，半导体材料包括SiC、GaN、GaAs、AlGaN和Si中的一个。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，半绝缘材料包括掺杂玻璃、DLC或aC:H。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，介电区是环形的，并且围绕内部区。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，介电区是环段并且彼此毗连，使得介电区形成围绕器件结的螺旋。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

边缘表面；以及

第一掺杂类型的外部掺杂区，所述第一掺杂类型的外部掺杂区在边缘表面与介电区之间，并且具有比内部区中的第二器件区更高的掺杂浓度。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，电阻层被连接到外部掺杂区。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，电阻层是连续层。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，电阻层包括远离的数个层段。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每个层段都被连接到第二器件区，并且被连接到至少一个半导体台面区。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，进一步包括多个台面区，其中每个层段都被连接到所述台面区中的每个。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，电阻层包括至少一个拉长的层段。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，至少一个拉长的层段垂直于第二器件区的边缘延伸。

17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，至少一个拉长的层段具有纵向方向，并且其中为在10°到80°之间的角度在第二器件区的边缘与纵向方向之间。

18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，在第二器件区的边缘与纵向方向之间的角度在30°到60°之间。

19.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，介电区的数目在3到20之间，或者在3到10之间。

20.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，一个介电区的宽度在0.05μm到20μm之间，或者在0.05μm到5μm之间。

21.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

在半导体本体的垂直方向上远离第二器件区的另一掺杂器件区。

22.根据权利要求21所述的半导体器件，其中，介电层延伸至另一掺杂器件区，或延伸到所述另一掺杂器件区中。

23.根据权利要求21所述的半导体器件，其中，介电层远离另一掺杂器件区。

24.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，半导体器件是MOSFET、IGBT、晶闸管、BJT、结型二极管或肖特基二极管中的一个。