[发明专利]具有其中有间隙的双密封环的集成电路

说明书

分案声明

本申请是申请日为2009年10月1日，申请号为200980139257.2，发明名称为“具有其中有间隙的双密封环的集成电路”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明大体上涉及集成电路（IC）。更明确地说，本发明涉及用以减少信号传播及用以减少水分渗透的密封环配置。

背景技术

在IC的周边周围制造密封环（其为由例如铜、铝或金的金属构成的环）以防止IC在切割过程期间破裂。使用密封环的额外益处为密封环充当对水分的屏障。即，随着时间逝去，由于IC暴露于水分，因此IC性能在不使用密封环的情况下可能降级。

然而，使用这些密封环也具有缺点，包括不期望的噪声/信号传播。位于IC上的噪声源（例如，数字信号输入/输出衬垫、时钟输入衬垫、功率放大器等）常常使噪声沿密封环传播，噪声随后可干扰IC上的其它装置的操作。这会带来问题，因为IC上的装置则不如可以其它方式所预期及设计那样而彼此隔离。

常规来说，密封环已采取两种形式。首先，已使用由一个固体金属片构成的单一密封环。通常掺杂在密封环之下的衬底，且接着使所述衬底与通孔一起连接到金属的底部以形成到金属密封环的最佳衬底连接。此有助于减少IC的水分污染，但然而，此类型的环允许噪声信号从噪声源沿密封环传播到IC上的其它装置。

为减轻此噪声传播问题，已使用并入有若干“断裂”或间歇中断的单一密封环。此有助于减少噪声传播问题，但对可靠性存在一定风险，因为水分可经由密封环中的这些断裂进入IC且使装置性能随着时间逝去而降级。

发明内容

本发明是针对于一种制造将通过使密封环传导路径断裂而减少噪声传播同时还最小化渗透IC的水分的量的断裂密封环的方法。

明确地说，本发明是针对于一种用于集成电路的密封系统，其中第一密封环限定（circumscribe）所述集成电路，且具有至少一个间隙。第二密封环限定所述第一密封环且具有从所述第一密封环的所述间隙偏移的至少一个间隙。

本发明进一步针对于一种用于集成电路的密封系统，所述密封系统含有具有至少一个沟道的限定所述集成电路的密封环。所述沟道包括入口部分及出口部分。所述入口部分从所述出口部分偏移。

本发明进一步针对于一种具有密封系统的集成电路，其中第一密封环限定所述集成电路，且具有至少一个间隙。第二密封环限定所述第一密封环。

本发明进一步针对于一种用于通过形成限定集成电路的第一密封环而形成用于所述集成电路的密封系统的方法。所述第一密封环包括至少一个间隙。所述方法还包括形成限定所述第一密封环的第二密封环，其中所述第二密封环包括从所述第一密封环的所述间隙偏移的至少一个间隙。

前述内容已相当广泛地概述了本发明的特征及技术优点以便可更好地理解以下本发明的详细描述。下文将描述本发明的额外特征及优点，其形成本发明的权利要求书的标的物。所属领域的技术人员应了解，所揭示的概念及特定实施例可易于用作修改或设计其它结构以执行本发明的相同目的的基础。所属领域的技术人员还应认识到，所述等效构造并不脱离如在所附权利要求书中阐述的本发明的精神及范围。当结合附图考虑时，将从以下描述更好地理解据信为本发明所特有的新颖特征（关于其组织及操作方法两者）连同其它目标及优点。然而，应清楚理解，仅出于说明及描述的目的而提供附图中的每一者，且并不希望其作为本发明的限制的定义。

附图说明

图1A及图1B为具有常规密封环的IC装置的示意图。

图2为示范性双断裂密封环的示意图。

图3A及图3B为双断裂密封环的替代配置的示意图。

图4为双断裂密封环的替代实施例的示意图。

图5为展示可有利地使用本发明的实施例的无线通信系统的示意图。

具体实施方式

图1A为具有常规密封环51的IC100（例如，射频（RF）IC）的示意图。密封环51不具有断裂或中断。如上文所论述，由噪声源15产生的信号可沿密封环51传播且干扰IC上的其它装置的性能。举例来说，IC100包括低噪声放大器（LNA）16，其为易受噪声效应影响的装置。因为LNA16易受噪声影响，所以已使其位于IC100上的尽可能远离噪声源15处。然而，所属领域的技术人员将理解，归因于噪声经由密封环51的传播，LNA16将仍然经受由噪声源15产生的噪声的不利效应。