[发明专利]无晶片自动调整

权利要求书

1.一种用于减少蚀刻室中的污染物的方法，其包括：

将具有含金属层的衬底置于所述蚀刻室内；

蚀刻所述含金属层，在所述蚀刻室的表面上产生不挥发的金属残留沉积物，其中所述金属残留沉积物中的一些金属残留处于第一状态；

将所述衬底从所述蚀刻室移除；以及

通过将处于所述第一状态的金属残留转变到处于第二状态的金属残留来调整所述室，其中处于所述第二状态的金属残留相较处于所述第一状态的金属残留对所述蚀刻室的表面具有更强的粘着性。

2.如权利要求1中所述的方法，其中处于所述第一状态的所述金属残留是金属氮化物或金属氢化物中的至少一者，且其中处于所述第二状态的金属残留是原态金属。

3.如权利要求2中所述的方法，其中所述调整所述室，包括：

提供氧化作用以将所述金属氮化物或金属氢化物中的至少一者转变为金属氧化物；以及

提供还原作用以将所述金属氧化物转变为原态金属。

4.如权利要求3中所述的方法，其中所述提供还原作用是提供氢还原、加热还原、或者辐照还原中的至少一者。

5.如权利要求4中所述的方法，其中所述蚀刻所述金属，包括：

提供所述含金属层中的金属的化学反应；以及

溅射所述含金属层中的化学反应后的所述金属。

6.如权利要求5中所述的方法，其中所述调整所述室在无晶片的情况下被执行。

7.如权利要求6中所述的方法，其中所述原态金属是元素金属或者至少两种元素金属的合金。

8.如权利要求7中所述的方法，其中所述室具有电动窗和法拉第屏蔽，所述法拉第屏蔽减少沉积在所述电动窗上的残留物。

9.如权利要求8中所述的方法，其中所述法拉第屏蔽接地使得较多的残留物被沉积到所述法拉第屏蔽上而不是被沉积到所述电动窗上，且其中所述调整所述室将沉积在所述法拉第屏蔽上的金属残留转变为原态金属。

10.如权利要求1中所述的方法，其中所述蚀刻所述金属，包括：

提供所述含金属层中的金属的化学反应；以及

溅射所述含金属层中的化学反应后的所述金属。

11.如权利要求1中所述的方法，其中所述调整所述室在无晶片的情况下被执行。

12.如权利要求1中所述的方法，其中所述室具有电动窗和法拉第屏蔽，所述法拉第屏蔽减少沉积在所述电动窗上的残留物。

13.如权利要求12中所述的方法，其中所述法拉第屏蔽接地使得较多的残留物被沉积到所述法拉第屏蔽上而不是被沉积到所述电动窗上，且其中所述调整所述室将沉积在所述法拉第屏蔽上的金属残留转变为原态金属。

14.如权利要求1中所述的方法，其中所述调整所述室，包括：

提供氧化作用以将所述金属残留转变为金属氧化物；以及

提供还原作用以将所述金属氧化物转变为原态金属。

15.如权利要求14中所述的方法，其中所述原态金属是元素金属或者至少两种元素金属的合金。

16.如权利要求15中所述的方法，其中所述提供还原作用是提供氢还原、加热还原、或者辐照还原中的至少一者。

17.一种用于减少具有电动窗和邻近所述电动窗的法拉第屏蔽的蚀刻室中的污染物的方法，其包括：

将具有含金属层的衬底置于所述蚀刻室内；

蚀刻所述含金属层，在包括所述法拉第屏蔽的所述蚀刻室的表面上产生不挥发的金属残留沉积物，其中所述金属残留包括金属氢化物或金属氮化物，其中所述蚀刻包括：

提供所述含金属层中的金属的化学反应；以及

溅射所述含金属层中的化学反应后的所述金属；

将所述衬底从所述蚀刻室移除；以及

通过将包括所述金属氢化物或金属氮化物的金属残留转变为原态金属来调整所述室，其中原态金属相较所述金属氢化物或金属氮化物对所述蚀刻室的表面具有更强的粘着性，包括：

提供氧化作用以将所述金属氮化物或金属氢化物转变为金属氧化物；以及

提供还原作用以将所述金属氧化物转变为原态金属。