[发明专利]等离子体辅助键合方法无效
| 申请号： | 201310036846.6 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103117235A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 张峰;曹共柏;魏星;王文宇;王中党;郑健 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 辅助 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种等离子辅助键合方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底表面包含一氧化层；
采用氮气等离子体处理工艺处理所述氧化层的表面；
对所述第二衬底的用于键合的表面进行等离子处理，本步骤所采用的等离子体种类和处理时间至少有一项不同于对所述氧化层表面的处理步骤。
2.根据权利要求1所述的等离子辅助键合方法，其特征在于，对所述第二衬底的用于键合的表面进行等离子处理的步骤中，采用氩气等离子其或氧气等离子体，或两者的混合。
3.根据权利要求1所述的等离子辅助键合方法，其特征在于，对所述第二衬底的用于键合的表面进行等离子处理的步骤中，亦采用氮气等离子体，但处理时间不同于对所述氧化层表面的处理步骤。
4.根据权利要求1所述的等离子辅助键合方法，其特征在于，所述第一衬底和第二衬底均为单晶硅衬底，所述氧化层的材料为二氧化硅。
5.根据权利要求1或4所述的等离子辅助键合方法，其特征在于，所述第二衬底表面包括一外延层。
6.根据权利要求5所述的等离子辅助键合方法，其特征在于，所述外延层的材料为单晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
