[发明专利]CMOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201310036549.1 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103972173B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 晶体管 形成 方法 | ||
1.一种CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；
在所述第一区域上形成第一栅极结构，并在所述第二区域上形成第二栅极结构；
形成覆盖所述第一栅极结构侧壁的第一掩膜层，并形成覆盖所述第二栅极结构顶部、第二栅极结构侧壁和第二栅极结构两侧第二区域的第二掩膜层，所述第二掩膜层和第一掩膜层的材料不同；
以所述第一栅极结构、第一掩膜层和第二掩膜层为掩模，在第一掩膜层两侧的第一区域内形成第一应力层；
在所述第一栅极结构、第一掩膜层、第一应力层和第二掩膜层上形成第三掩膜层，所述第三掩膜层和第二掩膜层的材料相同；
刻蚀第二区域上方的第三掩膜层和第二掩膜层，至剩余位于第二栅极结构侧壁上的第三掩膜层和第二掩膜层；
以第二栅极结构、第二掩膜层和第三掩膜层为掩模，在第三掩膜层两侧的第二区域内形成第二应力层。
2.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，刻蚀第二区域上方的第三掩膜层和第二掩膜层的方法为各向异性干法刻蚀。
3.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一应力层的材料为锗硅。
4.如权利要求3所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述第一应力层的方法为外延生长工艺。
5.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氮化硅。
6.如权利要求5所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层的方法为原子层沉积工艺。
7.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二应力层的材料为碳化硅。
8.如权利要求7所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述第二应力层的方法为外延生长工艺。
9.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层和第三掩膜层的材料为氧化硅。
10.如权利要求9所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述第二掩膜层和第三掩膜层的方法为化学气相沉积工艺。
11.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，在形成所述第二应力层之后，还包括：去除所述第二掩膜层和第三掩膜层。
12.如权利要求11所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述第二掩膜层和第三掩膜层的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的溶液为氢氟酸溶液，所述氢氟酸溶液的温度为0℃~100℃，所述氢氟酸溶液中氢氟酸和水的体积比为1:100~1:1000。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
