[发明专利]晶体硅太阳能电池的浅浓度扩散工艺

权利要求书

1.晶体硅太阳能电池的浅浓度扩散工艺，其特征在于：所述工艺包括以下步骤：

A、采用导电类型为P型的硅片原料，制备绒面、清洗并甩干；

B、氧化：在温度780℃-785℃条件下通入流量为8-10slm的N₂及3-5slm的O₂，并将清洗干净的硅片进入到扩散管中进行氧化，得到20-25nm厚的氧化层，即SiO₂；

C、沉积：待氧化完成后，继续通入流量为8-10slm的N₂、1.2-1.5slm的O₂及0.5-0.6slm携带有扩散源-POCl₃的N₂的混合气体进行P沉积，硅片在温度780-785℃气氛中与O₂、POCl₃发生化学反应，生产磷、五氯化磷、五氧化二磷、氯气，时间为300-360s，主要反应方程式如下：

Si+O₂＝SiO₂

5POCl₃＝P₂O₅+3PCl₅(高温)

4PCl₅+5O₂＝2P₂O₅+10Cl₂(高温)

2P₂O₅+5Si＝4P+5SiO₂；

D、恒温推进：温度提升到805℃，继续通入流量为8-10slm的N₂、1.2-1.5slm的O₂及0.5-0.6slm携带有扩散源-POCl₃的N₂的混合气体进行推进，使之前沉积的P更均匀地分布在硅片上，推进时间为20-30min，注意整个扩散工艺过程中，控制携源N₂的流量不超过0.6slm，化学反应原理同C；

E、D步骤完成后继续通入流量为3-5slm的O₂以便与未消耗完的PCl₅继续反应，还可以防止未反应完的化学品逸散到工作区域，对操作人员造成危害，并降温至780-785℃，时间为500-600s；

F、出舟、冷却：等扩散后的硅片冷却到室温，测试合格后卸片，流入下道工序；

G、经过以上步骤，得到扩散后的硅片，硅片表面方块电阻为85-90Ω/□。