[发明专利]一种电动汽车IGBT驱动模块有效
申请号: | 201310035731.5 | 申请日: | 2013-01-30 |
公开(公告)号: | CN103227628B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 李汉平;陈小江;刘爱华;刘金强;农振付 | 申请(专利权)人: | 深圳市航盛电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/567 | 分类号: | H03K17/567;H03K17/78;H02M3/335 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)44248 | 代理人: | 胡吉科,孙伟 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电动汽车 igbt 驱动 模块 | ||
1.一种电动汽车IGBT驱动模块,其特征在于:包括连接器、开关电源模块电路、正负分压电路及三相六路IGBT驱动电路,所述开关电源模块电路给所述连接器提供电源,所述正负分压电路处理所述开关电源模块电路输出的电源,所述三相六路IGBT驱动电路输入端与所述开关电源模块连接,输出端与IGBT集电极连接。
2.根据权利要求1所述的电动汽车IGBT驱动模块,其特征在于:所述三相六路IGBT驱动电路包括DSP控制电路、光耦隔离芯片及与之连接的IGBT导通压降检测电路和推挽驱动电路及,所述光耦隔离芯片的驱动输出端与所述DSP控制电路的控制信号输入端相接。
3.根据权利要求1所述的电动汽车IGBT驱动模块,其特征在于:所述开关电源模块电路包括开关电源芯片、电解电容C1、二极管、三极管、MOSFET管、高频变压器及MOSFET吸收回路,所述电解电容C1的一端与所述高频变压器相接,另一端与所述开关电源芯片连接,所述二极管位于所述高压变频器输出正端,与所述高频变压器直接相连后与输出电容正端相连,所述MOSFET管的S极的一端通过MOSFET吸收回路接地、另一端接所述高频变压器,D极通过电阻R5接地,G极连接所述开关电源芯片。
4.根据权利要求1所述的电动汽车IGBT驱动模块,其特征在于:所述正负分压电路包括隔离电源电路,该电路包括稳压芯片、二极管、电阻、稳压电容、高频变压器及分压电容,所述稳压芯片与所述高频变压器输出电源的正负极相接,所述稳压芯片与所述二极管相接,所述二极管通过所述稳压电容与电源的正负极连接,所述电阻的一端设置于所述二极管和所述稳压电容之间,另一端与所述稳压芯片连接,所述分压电容设置于所述高频变压器与所述稳压芯片之间。
5.根据权利要求1所述的电动汽车IGBT驱动模块,其特征在于:所述三相六路IGBT驱动电路中的六路包括与所述开关电源芯片连接的反馈回路、检测回路、软启动电路、低功耗使能信号电路、驱动信号电路及MOSFET管吸收电路,所述MOSFET管吸收电路一端连接所述MOSFET管,另一端接地。
6.根据权利要求2所述的电动汽车IGBT驱动模块,其特征在于:所述推挽驱动电路包括三极管Q2、三极管Q3、驱动电阻R6、驱动电阻R7、电容C14及电容C15,三极管Q3的C极与负电源相接,E极通过驱动电阻R7与IGBT门极相接,三极管Q2的C极与+15V电源相接,E极通过驱动电阻R6与IGBT的门极相接,三极管Q2和三极管Q3的B极与所述光耦隔离芯片驱动输出端相接,电容C14和电容C15串联与所述光耦隔离芯片相接,并通过电容C15接地,电容C14接+15V电源输出端。
7.根据权利要求2所述的电动汽车IGBT驱动模块,其特征在于:所述IGBT导通压降检测电路包括二极管D5、电阻R8,所述二极管D5的阴极与IGBT驱动模块的C极相接,通过所述电阻R8接入所述光耦隔离芯片的饱和压降检测引脚。
8.根据权利要求4所述的电动汽车IGBT驱动模块,其特征在于:所述隔离电源电路至少为四组。
9.根据权利要求4所述的电动汽车IGBT驱动模块,其特征在于:所述稳压电容至少为两个,一个连接+15V电源输出端,另一个连接-8V电源输出端。
10.根据权利要求3或4任意一项所述的电动汽车IGBT驱动模块,其特征在于:所述高频变压器的输入端为两路,一路为电源输入,另一路为反馈电路,输出端为四路隔离电源电路。
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