[发明专利]一种近红外荧光发射的CdTe/CdS核/壳型量子点及其制备方法

权利要求书

1.一种近红外荧光发射的CdTe/CdS核/壳型量子点，其特征在于，所述CdTe/CdS核/壳型量子点是以CdTe量子点为核，在所述核的外层包覆有1~6层CdS壳。

2.如权利要求1所述的CdTe/CdS核/壳型量子点，其特征在于，所述CdTe/CdS核/壳型量子点的荧光发射峰为600~850nm。

3.一种近红外荧光发射的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法，其特征在于，首先制备获得CdTe量子点溶液，根据经验数学函数计算所述CdTe量子点溶液的浓度与CdTe量子点的尺寸；然后根据经验数学函数计算出每一层CdS壳材料生长所需的壳前驱体中无机镉盐的用量；最后在室温和磁力搅拌下，将所述壳前驱体加入所述CdTe量子点溶液中，回流反应并获得具有1~6层CdS壳的CdTe/CdS核/壳型量子点。

4.如权利要求3所述的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法，其特征在于，所述方法具体包括：

（1）制备CdTe量子点溶液

101)在N₂气氛、磁力搅拌下，在碱性水溶液中，加入碲粉和硼氢化物，在70~80℃下反应0.2~0.5小时，得到碲氢化物前驱体；所述碲粉和硼氢化物在所述碱性水溶液中的摩尔比为1：（2~3）；所述碲粉在所述碱性水溶液中的摩尔浓度不超过10mol/L；102)在所述碲氢化物前驱体中快速加入无机镉盐与硫醇的混合水溶液，反应回流1~6小时，制备出硫醇稳定的碲化镉量子点；所述无机镉盐、碲氢化物前驱体和硫醇的摩尔比为1：（2~10）：（4~20）；

（2）制备CdTe/CdS核/壳型量子点

201)利用经验的数学函数计算出步骤所制得的CdTe量子点溶液的浓度与CdTe量子点的尺寸，然后计算出每一层硫化镉壳材料生长所需的壳前驱体中无机镉盐的用量；

202)以无机镉盐、硫化物和硫醇的摩尔比为1：1：（1~5）制得壳前驱体水溶液；

203)在室温和磁力搅拌下，将所述壳前驱体加入所述CdTe量子点溶液中，回流反应并获得具有1~6层CdS壳的CdTe/CdS核/壳型量子点。

5.如权利要求4所述的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法，其特征在于，所述硼氢化物选自硼氢化钠或硼氢化钾中的一种。

6.如权利要求4所述的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法，其特征在于，无机镉盐选自氯化镉、硫酸镉、硝酸镉或乙酸镉中的一种。

7.如权利要求4所述的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法，其特征在于，所述硫醇选自谷胱甘肽、L-半胱氨酸、巯基乙酸、巯基丙酸或二氢硫辛酸中的一种。

8.如权利要求4所述的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法，其特征在于，所述硫化物包括硫化钠、硫化钾或硫脲中的一种。

9.如权利要求4所述的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法，其特征在于，所述碱性水溶液的pH值为9.0或10.0。