[发明专利]含硅、钙、磷、钠微弧氧化涂层的牙根种植体基体及其制备方法

权利要求书

1.含硅、钙、磷、钠微弧氧化涂层的牙根种植体基体，其特征在于：所述的含硅、钙、磷、钠微弧氧化涂层的牙根种植体基体由牙根种植体（1）和夹具（2）构成，其中，所述的牙根种植体（1）上端设置有螺钉插入槽（3），所述的夹具（2）由螺钉（4）和配件（5）构成，螺钉（4）与配件（5）底部螺纹连接，其中，配件（5）侧端开通有孔洞（6），螺钉（4）螺旋旋入到螺钉插入槽（3）中。

2.根据权利要求1所述的含硅、钙、磷、钠微弧氧化涂层的牙根种植体基体，其特征在于所述的根种植体（1）和夹具（2）的材质均为纯钛TA2、TA4或钛合金T2448。

3.根据权利要求1所述的含硅、钙、磷、钠微弧氧化涂层的牙根种植体基体，其特征在于所述的螺钉（4）与螺钉插入槽（3）通过螺帽（7）固定。

4.制备权利要求1所述的含硅、钙、磷、钠微弧氧化涂层的牙根种植体基体的方法，其特征在于它包括以下步骤：

一、取牙根种植体基体，将牙根种植体基体表面抛光，然后依次使用丙酮、质量百分含量为95%的乙醇溶液和去离子水进行超声清洗5min，在烘箱为40℃条件下烘干30min；

二、配制微弧氧化电解液：以去离子水为溶剂，微弧氧化电解液由浓度为5~15的硅酸钠溶液、浓度为5~15的磷酸二氢钙溶液、浓度为5~15的乙酸钙溶液、浓度为5~30的EDTA-2Na溶液和浓度为1~25的氢氧化钠溶液组成；

三、以步骤一的烘干后的牙根种植体基体为正极，并将正极完全浸没于电解液中，以铁板为负极，在微弧氧化电解液温度为10℃~40℃，脉冲电压为250~550V、工作频率为200~1000Hz、占空比为4~20%的条件下，微弧氧化5~15min；

四、将步骤三微弧氧化处理的正极取出，采用去离子水冲洗3~5次，在烘箱为40℃条件下烘干30min，即得含硅、钙、磷、钠微弧氧化涂层的牙根种植体基体。

5.根据权利要求4所述的含硅、钙、磷、钠微弧氧化涂层的牙根种植体基体的制备方法，其特征在于步骤二中所述的配制微弧氧化电解液：以去离子水为溶剂，微弧氧化电解液由浓度为5~10的硅酸钠溶液、浓度为5~10的磷酸二氢钙溶液、浓度为5~10的乙酸钙溶液、浓度为5~20的EDTA-2Na溶液和浓度为5~20的氢氧化钠溶液组成。

6.根据权利要求4或5所述的含硅、钙、磷、钠微弧氧化涂层的牙根种植体基体的制备方法，其特征在于步骤二中所述的配制微弧氧化电解液：以去离子水为溶剂，微弧氧化电解液由浓度为6~8的硅酸钠溶液、浓度为6~8的磷酸二氢钙溶液、浓度为6~9的乙酸钙溶液、浓度为10~20的EDTA-2Na溶液和浓度为5~15的氢氧化钠溶液组成。

7.根据权利要求4所述的含硅、钙、磷、钠微弧氧化涂层的牙根种植体基体的制备方法，其特征在于步骤三中所述的脉冲电压为350~450V。

8.根据权利要求4所述的含硅、钙、磷、钠微弧氧化涂层的牙根种植体基体的制备方法，其特征在于步骤三中所述的脉冲电压为350~400V。