[发明专利]包括冗余单元的半导体器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年8月23日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2012-0092523的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的实施例总体而言涉及半导体器件，更具体而言，涉及包括冗余单元的半导体器件。

背景技术

一般地，半导体器件，例如半导体存储器件包括多个存储器单元。由于半导体器件随着工艺技术的发展而变得更高地集成，所以更加增加了包括在半导体器件中的存储器单元的数目。然而，如果半导体器件中的存储器单元连一个存储器单元都非正常操作，则半导体器件会发生故障。可以将包括至少一个失效的存储器单元的半导体器件划分为坏的芯片，并且在电子系统中不可以使用和应用坏的芯片。然而，近来，半导体器件中的失效的存储器单元的数目随着工艺技术的发展而减少。因而，大部分半导体器件被制造成包括冗余存储器单元，并且可以利用各种修复技术用冗余存储器单元来替换半导体器件的失效的存储器单元，以增加半导体器件的产量。

另外，半导体器件可以包括能将失效的存储器单元的地址编程的熔丝电路。这里，术语“编程”表示用于将失效的存储器单元的地址储存在熔丝电路中的一系列操作。

如上所述，熔丝电路可以储存失效的存储器单元（例如，要修复的单元）的地址。即，失效的存储器单元的地址可以编程在熔丝电路中，并且可以利用编程在熔丝电路中的失效的存储器单元的地址来执行修复操作。更详细地，如果半导体器件的失效的存储器单元通过特定地址来选择，则半导体器件可以将特定地址与储存在熔丝电路中的失效存储器单元的地址进行比较，并且可以根据比较结果用与失效的存储器单元相对应的冗余存储器单元来替换失效的存储器单元。

发明内容

各种实施例涉及包括冗余单元的半导体器件。

根据各种实施例，一种半导体器件包括控制信号发生器和比较器。控制信号发生器产生第一控制信号，所述第一控制信号包括与复位信号同步产生的第一脉冲和与行地址使能信号被禁止的时间点同步产生的第二脉冲；第二控制信号，所述第二控制信号包括与行地址使能信号被使能的时间点同步产生的脉冲；以及熔丝控制信号，所述熔丝控制信号每当第一控制信号的第一脉冲和第二脉冲以及第二控制信号的脉冲发生时在预定的时段期间被使能。比较器响应于第一控制信号的第一脉冲和第二脉冲，或者响应于第二控制信号的脉冲而产生比较信号。比较信号通过如下方式来产生：将响应于第一控制信号的第一脉冲和第二脉冲根据在第一单元块中的失效的存储器单元的地址而产生的熔丝信号与地址信号进行比较，或者将响应于第二控制信号的脉冲根据在第二单元块中的失效的存储器单元的地址产生的另一个熔丝信号与地址信号进行比较。

根据不同的实施例，一种半导体器件包括控制信号发生器和比较器。控制信号发生器产生第一控制信号，所述第一控制信号包括与行地址使能信号被禁止的时间点同步产生的脉冲；第二控制信号，所述第二控制信号包括与行地址使能信号被使能的时间点同步产生的脉冲；以及熔丝控制信号，所述熔丝控制信号从第一控制信号的脉冲和第二控制信号的脉冲发生的时间点在预定的时段期间被使能。比较器响应于第一控制信号的脉冲或响应于第二控制信号的脉冲而产生比较信号。比较信号通过以下方式产生：通过比较响应于第一控制信号的脉冲根据在第一单元块中的失效的存储器单元的地址产生的熔丝信号与地址信号进行比较，或者通过响应于第二控制信号根据第二单元块中的失效的存储器单元的地址而产生的另一个熔丝信号与地址信号进行比较。

附图说明

结合附图和所附详细的描述，本发明构思的实施例将变得更加显然，其中：

图1是说明根据各种实施例的半导体器件的配置的框图；

图2是说明包括在图1的半导体器件中的熔丝电路的配置的框图；

图3是说明图2中所示的驱动控制信号发生器的第一驱动控制信号发生器的电路图；

图4是说明图2中所示的驱动控制信号发生器的第二驱动控制信号发生器的电路图；

图5是说明包括在图2的熔丝电路中的比较器的电路图；

图6是说明图2中所示的修复信号发生器的第一修复信号发生器的电路图；

图7是说明图2中所示的修复信号发生器的第二修复信号发生器的电路图；以及

图8是说明根据各种实施例的半导体器件的第一单元块和第二单元块的修复操作的时序图。

具体实施方式

在下文中将参照附图来描述各种实施例。然而，本文描述的实施例仅是出于说明的目的，并非意图限制本发明构思的范围。