[发明专利]电介质陶瓷组合物和电子部件

说明书

技术领域

本发明涉及电介质陶瓷组合物和电子部件。

背景技术

作为电子部件的一个例子的陶瓷电容器使用在各种各样的电子设备中，近年来，对高性能化的要求越来越高。

由于开关电源电路的Y电容器即作为噪声滤波器使用的陶瓷电容器连续地暴露于电应力（electrical stress），因此有必要提高陶瓷质地的耐电压。因此，对于Y电容器等，使用了安全规格认证的陶瓷电容。作为安全规格认证的陶瓷电容器，陶瓷电容器不被破坏即提高电介质陶瓷电容器的交流破坏电场值是最重要的。另外，在这些陶瓷电容器中，使静电电容的温度特性良好也是重要的，优选兼顾了交流破坏电场值和静电电容的温度特性的电容。

在专利文献1和专利文献2中，公开了交流破坏电场值比较高的电介质陶瓷组合物。然而，即使交流破坏电场值均提高，也只是5kV/mm左右。另外，这些文献中并没有公开兼顾了交流破坏电场值和静电电容的温度特性的电介质陶瓷组合物。

现有技术

专利文献

专利文献1：日本特开2006-096576号公报

专利文献2：日本特开2003-104774号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明有鉴于这样的实际情况，其目的在于提供一种交流破坏电场值高、静电电容的温度特性良好、相对介电常数高的电介质陶瓷组合物。另外，本发明的目的还在于提供一种具有由这样的电介质陶瓷组合物构成的电介质层的电子部件。

解决问题的技术手段

为了达到上述目的，本发明人等进行锐意研究，结果发现通过令电介质陶瓷组合物的组成为特定的成分并令它们的比率为规定范围，便能够达到上述目的，从而完成本发明。

即，解决上述技术问题的本发明的实施方式所涉及的电介质陶瓷组合物，其特征在于，是具有由(Ba_pSr_qCa_rBi_s)TiO₃的组成式表示的主成分、第1副成分、以及第2副成分的电介质陶瓷组合物，所述组成式中的q为0.080以下，所述组成式中的r为0.020以上0.080以下，所述组成式中的s为0.002以下，且所述组成式中的p、q、r与s的合计满足0.996≤p+q+r+s≤1.010的关系，

所述第1副成分是ZnO，

所述第2副成分是选自La、Sm和Nd中的至少一种的氧化物，

所述第1副成分相对于所述主成分100质量份，含有2.5质量份以上10质量份以下，

所述第2副成分相对于所述主成分100质量份，换算为氧化物而含有0.5质量份以上2.5质量份以下。

另外，电介质陶瓷组合物的特征在于，相对于由所述(Ba_pSr_qCa_rBi_s)TiO₃的组成式表示的主成分，当令所述第1副成分的含有量为α质量份，所述第2副成分的含有量为β质量份时，含有比α/β是2.4以上12.1以下。通过含有比α/β满足上述范围，与现有相比，可以得到更高的6kV/mm以上的交流破坏电压值。

根据本发明，能够提供交流破坏电场值高、静电电容的温度特性良好、相对介电常数高的陶瓷组合物。

本发明的实施方式所涉及的电子部件，具有由所述电介质陶瓷组合物或通过所述制造方法得到的电介质陶瓷组合物构成的电介质层。

虽然作为本发明的实施方式所涉及的电子部件并没有特别限定，但例示了单板型陶瓷电容器、层叠陶瓷电容器。

发明的效果

根据本发明，能够提供交流破坏电场高、静电电容的温度特性良好、相对介电常数高的电介质陶瓷组合物。

附图说明

[图1]图1（A）是本发明的一个实施方式所涉及的陶瓷电容器的正面图，图1（B）是本发明的一个实施方式所涉及的陶瓷电容器的侧面截面图。

符号说明：

2     陶瓷电容器

4     保护树脂

6,8   引线端子

10    电介质层

12,14 端子电极

具体实施方式

以下，基于附图所示的实施方式说明本发明的实施方式。

陶瓷电容器2