[发明专利]热辅助磁记录介质和磁记录再生装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于硬盘装置（HDD）等的热辅助磁记录介质和使用了该热辅助磁记录介质的磁记录再生装置。

本申请基于在2012年1月31日在日本提出的专利申请2012-019185号要求优先权，将其内容援引于本申请中。

背景技术

近年来，对磁记录介质照射近场光等将表面局部地加热，使该磁记录介质的矫顽力降低进行写入的热辅助记录，作为能够实现1Tbit/英寸²级的面记录密度的下一代记录方式受到关注。

在使用该热辅助记录的情况下，即使是室温下的矫顽力为数十kOe的磁记录介质，也可通过现有磁头的记录磁场容易地进行写入。因此，在热辅助磁记录介质中，磁性层可使用具有10⁶J/m³程度的高的晶体磁各向异性（Ku）的材料，可以在维持热稳定性的状态下将磁性粒径微细化到6nm以下。作为这样的高Ku材料，已知例如具有L1₀型的晶体结构的FePt合金（Ku：约7×10⁶J/m³）和具有L1₀型的晶体结构的CoPt合金（Ku：约5×10⁶J/m³）等。

然而，为了使FePt合金有序化（规则化）并取得L1₀结构，需要将基板温度加热到600~700℃以上。但是，从玻璃基板的耐热性的观点出发，希望基板温度设定为约600℃以下。上述有序化温度可以通过向FePt添加第三元素来降低。例如，在非专利文献1中记载了，通过向FePt添加Cu，可以大幅度地降低上述的有序化温度。另外，在非专利文献2中记载了，通过除了Cu以外还添加Ag、Au，可以降低上述的有序化温度。

现有技术文献

非专利文献1：Appl.Phys.Lett.80,2147(2002)

非专利文献2：J.Appl.Phys.92,6104(2002)

发明内容

如上述那样，为使用于热辅助磁记录介质的FePt合金或CoPt合金有序化并取得L1₀结构，需要将基板加热到600~700℃以上。另外，上述的有序化温度可以通过向FePt合金添加Cu、Ag、Au等的第三元素来降低。

但是，该情况下，会招致Ku的降低。此外，在添加了第三元素的情况下，与该第三元素的浓度分布相伴，矫顽力分散ΔHc/Hc增大。因此，需要不向FePt合金或CoPt合金添加第三元素而将上述的有序化温度降低到作为玻璃基板的耐热温度的600℃以下。

另外，在热辅助磁记录介质的磁性层使用FePt合金或CoPt合金的情况下，这些合金膜需要在取得有序度高的L1₀结构的同时，设为使（001）面与基板面平行的取向。

为使FePt合金采取（001）取向，优选在（100）取向了的MgO基底层上形成该FePt合金。已知MgO通常通过在玻璃基板上直接形成或在Ta等的基底层上形成来取得（100）取向。

但是，为了实现良好的（100）取向，优选将该MgO基底层的厚度设定为10nm以上，但从生产效率的观点出发，希望MgO基底层的厚度为5nm以下，优选为3nm以下。此外，从抑制微粒产生的观点出发，优选MgO基底层较薄。因此，需要形成厚度为3nm以下、并且显示良好的（100）取向的MgO基底层。

本发明是鉴于这样的现有状况而提出的，其目的是提供有序化温度低、可将MgO基底层的膜厚降低到5nm以下的热辅助磁记录介质、以及具备这样的热辅助磁记录介质的磁记录再生装置。

本发明提供以下的方案。

（1）一种热辅助磁记录介质，其特征在于，具备：

基板；

在上述基板上形成的基底层；和

在上述基底层上形成的磁性层，

上述磁性层含有具有L10结构的合金作为主成分，

上述基底层由下述层构成：第1基底层，该第1基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成；第2基底层，该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的具有BCC结构的合金构成；第3基底层，该第3基底层由具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的金属或合金构成；和第4基底层，该第4基底层由MgO构成。

（2）根据上述（1）所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第1基底层由非磁性或磁化强度为100emu/cc以下的NiTa、NiTi、CoTa、CoTi、CrTa、CrTi、CoCrZr、CoCrTa合金构成。