[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310031156.1 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103972089B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 邓坚;罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构；
执行离子注入，向衬底中注入掺杂离子；
在衬底以及栅极堆叠结构上沉积镍基金属层，镍基金属层包括Ni-Pt且Pt摩尔的含量小于等于10％、Ni-Co且Co摩尔含量小于等于10％、Ni-Pt-Co且Pt与Co摩尔含量之和小于等于10％；
执行第一退火，使得衬底中的硅与镍基金属层反应形成富镍相硅化物；
剥除未反应的镍基金属层；
执行驱动退火，使得富镍相硅化物转变为镍基金属硅化物以用作源漏区，并使得镍基金属硅化物与衬底界面处形成介质层。
2.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其中，衬底包括体硅、SOI、GeSi、SiC。
3.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其中，镍基金属层的厚度为1至100nm。
4.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其中，第一退火在200至350℃温度下进行10至300s。
5.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其中，在执行第一退火时，含有掺杂离子的衬底部分完全转变为富镍相硅化物。
6.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其中，富镍相硅化物包括Ni2Si、Ni3Si、Ni2PtSi、Ni3PtSi、Ni2CoSi、Ni3CoSi、Ni3PtCoSi。
7.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其中，驱动退火在450至850℃温度下进行。
8.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其中，镍基金属硅化物包括NiSi、NiPtSi、NiCoSi、NiPtCoSi。
9.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其中，掺杂离子包括O、N、或其组合，介质层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合。
10.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其中，介质层厚度为0.1～2nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310031156.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：一种增量更新与爬取技术
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
