[发明专利]NAND闪存写数据处理方法和装置有效
申请号: | 201310030922.2 | 申请日: | 2013-01-25 |
公开(公告)号: | CN103064755A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 彭刚 | 申请(专利权)人: | 珠海全志科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F11/07 | 分类号: | G06F11/07;G06F12/06 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 李双皓;陈振 |
地址: | 519080 广东省珠海市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | nand 闪存 数据处理 方法 装置 | ||
1.一种NAND闪存写数据处理方法,其特征在于,包括如下步骤:
设置MLC NAND闪存LSB逻辑物理映射模式,将一个逻辑块映射到多个物理块,并将逻辑块上的逻辑页映射到各个物理块上的LSB page上,所述多个物理块作为LSB类型物理块;
在MLC NAND闪存进行逻辑数据更新时,利用所述LSB逻辑物理映射模式将所述逻辑块中的逻辑数据分配给LSB类型物理块,建立LSB逻辑物理对应关系;
在更新LSB page的过程中断电、重新上电时,扫描检测最后访问的物理块是否存在数据错误,并根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理。
2.根据权利要求1所述的NAND闪存写数据处理方法,其特征在于,还包括如下步骤:
当MLC NAND闪存逻辑块更新完成、或物理块上LSB页用完、或预设条件满足时,启动合并模式,将同一逻辑块对应的多个LSB类型物理块合并成一个常规类型物理块,将多个LSB类型物理块中的有效数据拷贝到常规类型物理块中;
在合并完成后,启动回收模式,更新所述同一逻辑块对应物理块的逻辑物理映射关系,将LSB逻辑物理映射模式切换到常规逻辑物理映射模式,将逻辑块映射到新的常规类型物理块上,擦除并释放原有LSB type物理块。
3.根据权利要求1或2所述的NAND闪存写数据处理方法,其特征在于,所述根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理,包括如下步骤:
在更新LSB page的过程中断电、重新上电时,扫描检测更新LSB page过程中最后访问的物理块是否存在数据错误;
根据扫描检测结果判断如果不存在数据错误,则结束更新过程返回;否则是最后写的过程中断电,把这个块的有效数据拷贝到一个新的物理块中,擦除原物理块,并更新逻辑物理对应关系,结束更新过程返回。
4.根据权利要求2所述的NAND闪存写数据处理方法,其特征在于,在启动合并模式,将同一逻辑块对应的多个LSB类型物理块合并成一个常规类型物理块,将多个LSB类型物理块中的有效数据拷贝到常规类型物理块中的步骤中,还包括如下步骤:
如果在合并过程中发生断电、重新上电时,扫描检测到合并被中断时,启动映射修复模式,执行逻辑修复处理,擦除常规类型物理块,保留LSB类型物理块,修复LSB逻辑物理映射关系,将LSB物理块恢复到合并模式启动之前的状态,等待再次被触发合并。
5.一种多层级单元NAND闪存装置,包括多个逻辑块和多个物理块,所述物理块包括多个LSB页,其特征在于,还包括写数据控制器;
所述写数据控制器,包括设置模块,更新处理模块,扫描检测模块,其中:
所述设置模块,用于设置MLC NAND闪存的LSB逻辑物理映射模式,将一个逻辑块映射到多个物理块,并将逻辑块上的逻辑页映射到各个物理块上的LSB page上,所述多个物理块作为LSB类型物理块;
所述更新处理模块,用于在MLC NAND闪存进行逻辑数据更新时,利用所述LSB逻辑物理映射模式将所述逻辑块中的逻辑数据分配给LSB类型物理块,建立LSB逻辑物理对应关系;
所述扫描检测模块,用于在更新LSB page的过程中断电、重新上电时,扫描检测最后访问的物理块是否存在数据错误,并根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理。
6.根据权利要求5所述的多层级单元NAND闪存装置,其特征在于,写数据控制器,还包括合并模块,回收模块,其中:
所述合并模块,用于当MLC NAND闪存逻辑块更新完成、或物理块上LSB页用完、或预设条件满足时,启动合并模式,将同一逻辑块对应的多个LSB类型物理块合并成一个常规类型物理块,将多个LSB类型物理块中的有效数据拷贝到常规类型物理块中;
所述回收模块,用于在合并完成后,启动回收模式,更新所述同一逻辑块对应物理块的逻辑物理映射关系,将LSB逻辑物理映射模式切换到常规逻辑物理映射模式,将逻辑块映射到新的常规类型物理块上,擦除并释放原有LSB type物理块。
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