[发明专利]NAND闪存写数据处理方法和装置有效

专利信息
申请号: 201310030922.2 申请日: 2013-01-25
公开(公告)号: CN103064755A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 彭刚 申请(专利权)人: 珠海全志科技股份有限公司
主分类号: G06F11/07 分类号: G06F11/07;G06F12/06
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 李双皓;陈振
地址: 519080 广东省珠海市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: nand 闪存 数据处理 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种NAND闪存写数据处理方法,其特征在于,包括如下步骤:

设置MLC NAND闪存LSB逻辑物理映射模式,将一个逻辑块映射到多个物理块,并将逻辑块上的逻辑页映射到各个物理块上的LSB page上,所述多个物理块作为LSB类型物理块;

在MLC NAND闪存进行逻辑数据更新时,利用所述LSB逻辑物理映射模式将所述逻辑块中的逻辑数据分配给LSB类型物理块,建立LSB逻辑物理对应关系;

在更新LSB page的过程中断电、重新上电时,扫描检测最后访问的物理块是否存在数据错误,并根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理。

2.根据权利要求1所述的NAND闪存写数据处理方法,其特征在于,还包括如下步骤:

当MLC NAND闪存逻辑块更新完成、或物理块上LSB页用完、或预设条件满足时,启动合并模式,将同一逻辑块对应的多个LSB类型物理块合并成一个常规类型物理块,将多个LSB类型物理块中的有效数据拷贝到常规类型物理块中;

在合并完成后,启动回收模式,更新所述同一逻辑块对应物理块的逻辑物理映射关系,将LSB逻辑物理映射模式切换到常规逻辑物理映射模式,将逻辑块映射到新的常规类型物理块上,擦除并释放原有LSB type物理块。

3.根据权利要求1或2所述的NAND闪存写数据处理方法,其特征在于,所述根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理,包括如下步骤:

在更新LSB page的过程中断电、重新上电时,扫描检测更新LSB page过程中最后访问的物理块是否存在数据错误;

根据扫描检测结果判断如果不存在数据错误,则结束更新过程返回;否则是最后写的过程中断电,把这个块的有效数据拷贝到一个新的物理块中,擦除原物理块,并更新逻辑物理对应关系,结束更新过程返回。

4.根据权利要求2所述的NAND闪存写数据处理方法,其特征在于,在启动合并模式,将同一逻辑块对应的多个LSB类型物理块合并成一个常规类型物理块,将多个LSB类型物理块中的有效数据拷贝到常规类型物理块中的步骤中,还包括如下步骤:

如果在合并过程中发生断电、重新上电时,扫描检测到合并被中断时,启动映射修复模式,执行逻辑修复处理,擦除常规类型物理块,保留LSB类型物理块,修复LSB逻辑物理映射关系,将LSB物理块恢复到合并模式启动之前的状态,等待再次被触发合并。

5.一种多层级单元NAND闪存装置,包括多个逻辑块和多个物理块,所述物理块包括多个LSB页,其特征在于,还包括写数据控制器;

所述写数据控制器,包括设置模块,更新处理模块,扫描检测模块,其中:

所述设置模块,用于设置MLC NAND闪存的LSB逻辑物理映射模式,将一个逻辑块映射到多个物理块,并将逻辑块上的逻辑页映射到各个物理块上的LSB page上,所述多个物理块作为LSB类型物理块;

所述更新处理模块,用于在MLC NAND闪存进行逻辑数据更新时,利用所述LSB逻辑物理映射模式将所述逻辑块中的逻辑数据分配给LSB类型物理块,建立LSB逻辑物理对应关系;

所述扫描检测模块,用于在更新LSB page的过程中断电、重新上电时,扫描检测最后访问的物理块是否存在数据错误,并根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理。

6.根据权利要求5所述的多层级单元NAND闪存装置,其特征在于,写数据控制器,还包括合并模块,回收模块,其中:

所述合并模块,用于当MLC NAND闪存逻辑块更新完成、或物理块上LSB页用完、或预设条件满足时,启动合并模式,将同一逻辑块对应的多个LSB类型物理块合并成一个常规类型物理块,将多个LSB类型物理块中的有效数据拷贝到常规类型物理块中;

所述回收模块,用于在合并完成后,启动回收模式,更新所述同一逻辑块对应物理块的逻辑物理映射关系,将LSB逻辑物理映射模式切换到常规逻辑物理映射模式,将逻辑块映射到新的常规类型物理块上,擦除并释放原有LSB type物理块。

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