[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 201310030815.X | 申请日: | 2013-01-25 |
公开(公告)号: | CN103117283A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 王本莲;栗晓;代磊;韩静;杨永菊;蔡科 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G09F9/33 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:基板;位于所述基板上的栅极、栅线和位于所述栅线之间的第一栅线引线;覆盖所述栅极、栅线和所述第一栅线引线的栅绝缘层;位于所述栅绝缘层上方的有源层、源极、漏极和数据线;覆盖所述有源层、源极、漏极和数据线的钝化层;位于所述钝化层上方的像素电极图形,所述像素电极图形通过钝化层上的过孔与所述漏极导通;其特征在于,还包括:
所述栅线将与所述栅线交叉排列的第一栅线引线隔开;
所述第一栅线引线包括信号传输区域和位于所述信号传输区域两端的连接区域,其中所述信号传输区域与所述数据线平行且位于所述数据线下方,所述连接区域位于所述数据线区域的一侧;被所述栅线隔开的两段所述第一栅线引线相邻的连接区域被与所述像素电极图形同层形成的第二栅线引线通过过孔导通,所述过孔在所述钝化层和所述栅绝缘层上;所述栅线通过所述栅线与所述栅线对应的第一栅线引线交叉处上方所述栅绝缘层和钝化层上的过孔与所述第二栅线引线导通,其中所述第二栅线引线与所述第一栅线引线导通构成栅线引线与对应的栅线导通。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线和所述第一栅线引线由同一层导电材料通过一次构图工艺形成。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二栅线引线和所述像素电极图形由同一层导电材料通过一次构图工艺形成。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一栅线引线的信号传输区域的宽度与所述数据线的宽度相同。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一栅线引线上的连接区域位于所述数据线的同一侧。
6.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成一层导电材料层通过构图工艺形成栅极、栅线和第一栅线引线;
制作覆盖所述栅极、栅线和所述第一栅线引线的栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上形成有源层、源极、漏极和数据线;
制作覆盖所述有源层、源极、漏极和数据线的钝化层;
在所述漏极上方的钝化层上形成第一过孔,在所述栅线与所述栅线对应的第一栅线引线交叉位置的钝化层上形成第二过孔,在所述第一栅线引线的连接区域上方的栅绝缘层和钝化层上形成第三过孔;
在所述钝化层上形成一层透明导电材料层,通过构图工艺形成像素电极图形和第二栅线引线;
其中,所述第二栅线引线通过第三过孔将被所述栅线隔开的两段所述第一栅线引线相邻的连接区域导通,所述第二栅线引线通过所述第二过孔与对应的栅线导通,所述第二栅线引线与所述第一栅线引线导通构成栅线引线与对应的栅线导通。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~5任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的