[发明专利]鳍结构上的保护环

权利要求书

1.一种器件，包括：

半导体衬底；

隔离区，延伸至所述半导体衬底中；

多个半导体鳍，高于所述隔离区的顶面；

多个栅叠层，每一个栅叠层都包括：

栅极介电层，位于所述多个半导体鳍中的一个半导体鳍的顶面和侧壁上；以及

栅电极，位于所述栅极介电层上方；

多个半导体区，每一个半导体区都设置在所述多个半导体鳍中的两个相邻的半导体鳍之间并且与这两个半导体鳍接触；

多个接触塞，每一个接触塞都位于所述多个半导体区中的一个半导体区的上方并且与这一个半导体区电连接；以及

电连接件，电互连所述多个半导体区和所述多个栅叠层的栅电极。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述多个半导体区和所述多个半导体鳍相互连接以形成半导体环。

3.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：位于所述半导体衬底中的阱区，其中，所述多个半导体区具有与所述阱区相同的导电类型并且与所述阱区接触。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述电连接件包括金属线。

5.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：电压源，被配置成对所述多个半导体区和所述多个栅叠层的所述栅电极施加相同的电压。

6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述多个半导体区包括p型区，并且所述电压源被配置成产生负电压。

7.根据权利要求5所述的器件，其中，所述多个半导体区包括n型区，并且所述电压源被配置成产生正电压。

8.一种器件，包括：

半导体衬底；

隔离区，延伸至所述半导体衬底中；

半导体环，环绕所述半导体衬底的一部分，所述半导体环包括：

多个半导体鳍，高于所述隔离区的顶面；

多个外延半导体区，与所述多个半导体鳍接触，并且所述多个外

延半导体区和所述多个半导体鳍以交替图案进行配置；

多个栅极介电层，每一个栅极介电层都位于所述多个半导体鳍中的一个半导体鳍的顶面和侧壁上；

多个栅电极，每一个栅电极都位于所述多个栅极介电层中的一个栅极介电层的上方；以及

多个接触塞，每一个接触塞都位于所述多个外延半导体区中的一个外延半导体区的上方并且与这一个外延半导体区电连接。

9.根据权利要求8所述的器件，进一步包括：被所述半导体环环绕的鳍式场效应晶体管(FinFET)。

10.一种方法，包括：

在半导体鳍上方形成栅叠层，所述半导体鳍形成环；

蚀刻所述半导体鳍没有被所述栅叠层覆盖的部分以形成凹槽；

实施外延以从所述凹槽生长外延半导体区；

形成位于所述外延半导体区上方并与所述外延半导体区电连接的第一接触塞；以及

形成位于所述栅叠层上方并与所述栅叠层电连接的第二接触塞。