[发明专利]单层ITO的布线结构在审
| 申请号： | 201310030436.0 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103092423A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 樊永召;刘赫 | 申请（专利权）人： | 苏州瀚瑞微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单层 ito 布线 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种单层ITO的布线结构，其ITO上布设有若干个电极块，每个电极块包括若干个X电极和一个Y电极，其特征在于，所述X电极和Y电极均包括一主体及从主体上一侧延伸的若干个支体，所述X电极和Y电极的支体相向设置，若干个X电极依次顺序布设在一个Y电极的若干个支体之间的间隙内，相邻两个电极块呈镜像排列。
2.根据权利要求1所述的单层ITO的布线结构，其特征在于，所述X电极的支体和Y电极的支体大小相同。
3.根据权利要求1所述的单层ITO的布线结构，其特征在于，所述支体与所述主体之间相互垂直。
4.根据权利要求1所述的单层ITO的布线结构，其特征在于，所述X电极的支体与所述Y电极的支体之间相互咬合形成间隙。
5.根据权利要求1所述的单层ITO的布线结构，其特征在于，ITO的边缘处布设的电极为Y电极。
6.根据权利要求1或5所述的单层ITO的布线结构，其特征在于，所述相邻两个呈镜像排列的电极块中的X电极与X电极相邻。
7.根据权利要求1所述的单层ITO的布线结构，其特征在于，所述每个电极块中同方向上的X电极在FPC上相连接。
8.根据权利要求7所述的单层ITO的布线结构，其特征在于，所述X电极和所述Y电极之间的桥接点位于FPC上。
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