[发明专利]三维微米级多孔铜薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种多孔铜薄膜的制备方法，包括：

提供金属基底作为阴极并提供紫铜片作为阳极；

配制电镀液，所述电镀液中Cu²⁺含量为0.08～0.2mol/L、H₂SO₄含量为1.50～3.00mol/L、表面活性剂总含量为0.5～4.0mmol/L、Cl-含量为1.5～3.0mmol/L；以及

利用所述电镀液、所述阴极和所述阳极，采用氢气泡动态模板电沉积法在所述金属基底上形成三维多孔铜薄膜。

2.权利要求1的方法，其中所述金属基底为紫铜片、铜锌合金片、铝片、钛片或镁铝合金片。

3.权利要求1的方法，其中所述金属基底在作为阴极之前和/或所述紫铜片在作为阳极之前经过相应的前处理。

4.权利要求3的方法，其中所述前处理依次包括打磨、去离子水洗、碱洗、去离子水洗、酸洗和去离子水洗。

5.权利要求4的方法，其中碱洗条件为：洗涤溶液0.5～1mol/LNa₂CO₃；浸泡时间5～10min；以及溶液温度范围10～35℃；以及

酸洗条件为：洗涤溶液0.5～1mol/L HCl；浸泡时间5～10min；溶液温度范围10～35℃。

6.权利要求1的方法，其中在电沉积过程中不对电镀液采取任何搅拌措施。

7.权利要求1的方法，还包括对三维多孔铜薄膜进行后处理，即用去离子水对其清洗3～5次，然后用保护性气体吹干保存。

8.权利要求1的方法，其中所述表面活性剂为十二烷基硫酸钠、十二烷基磺酸钠、丁炔二醇中的任意两种之组合。

9.权利要求1的方法，其中电沉积条件为：时间20～120s；电流密度1.2～3A/cm²；以及镀液温度为25±5℃。