[发明专利]薄膜晶体管、显示单元和电子设备有效
| 申请号： | 201310030053.3 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103247692B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 德永和彦;荒井俊明 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本有机雷特显示器 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 单元 电子设备 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：
栅极电极；
栅极绝缘膜，设置在该栅极电极上；
氧化物半导体层，设置在该栅极绝缘膜上并且具有面对该栅极电极设置的沟道区域；
沟道保护层，设置在该栅极绝缘膜和该氧化物半导体层上；以及
源极电极和漏极电极，该源极电极和漏极电极的每一个通过在该沟道保护层中形成的连接孔连接到该氧化物半导体层，
其中在该沟道区域的一部分中该氧化物半导体层具有狭窄区域，该狭窄区域的宽度窄于该连接孔的宽度。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中在该狭窄区域之外的宽区域的一个或多个拐角处或者一个或多个侧边处，该氧化物半导体层具有从该源极电极和该漏极电极突出的突出部分。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中该突出部分设置在该宽区域的围绕该狭窄区域的四个拐角的每一个处。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中该突出部分设置在该宽区域的在沟道宽度方向上彼此面对的侧边的两者或之一处。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中在该连接孔的一部分中，该氧化物半导体层具有从该沟道保护层以及该源极电极和漏极电极暴露的暴露部分。
6.一种包括显示器件和驱动该显示器件的薄膜晶体管的显示单元，该薄膜晶体管包括：
栅极电极；
栅极绝缘膜，设置在该栅极电极上；
氧化物半导体层，设置在该栅极绝缘膜上并且具有面对该栅极电极设置的沟道区域；
沟道保护层，设置在该栅极绝缘膜和该氧化物半导体层上；以及
源极电极和漏极电极，该源极电极和漏极电极的每一个通过在该沟道保护层中形成的连接孔连接到该氧化物半导体层，
其中在该沟道区域的一部分中该氧化物半导体层具有狭窄区域，该狭窄区域的宽度窄于该连接孔的宽度。
7.一种电子设备，该电子设备具有包括显示器件和驱动该显示器件的薄膜晶体管的显示单元，该薄膜晶体管包括：
栅极电极；
栅极绝缘膜，设置在该栅极电极上；
氧化物半导体层，设置在该栅极绝缘膜上并且具有面对该栅极电极设置的沟道区域；
沟道保护层，设置在该栅极绝缘膜和该氧化物半导体层上；以及
源极电极和漏极电极，该源极电极和漏极电极的每一个通过在该沟道保护层中形成的连接孔连接到该氧化物半导体层，
其中在该沟道区域的一部分中该氧化物半导体层具有狭窄区域，该狭窄区域的宽度窄于该连接孔的宽度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本有机雷特显示器，未经株式会社日本有机雷特显示器许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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