[发明专利]射频低噪声放大器

权利要求书

1.一种射频低噪声放大器，其特征在于，包括：差分共栅电路和差分交叉耦合共栅电路，其中：

差分共栅电路为主放大器，包括：第一MOS管和第二MOS管，其中：第一MOS管为NMOS管，其源端连接射频信号输入正端；其漏端连接至射频信号输出正端，并通过第一电阻连接至电压源正端；其栅端通过第五电阻连接至偏置电压第1端；第二MOS管为NMOS管，其源端连接射频信号输入负端；其漏端连接至射频信号输出负端，并通过第二电阻连接至电压源正端；其栅端通过第六电阻连接至偏置电压第1端；

差分交叉耦合共栅电路，为增加主放大器跨导的辅助放大器，包括：第三MOS管、第四MOS管、第一电容和第二电容，其中：第三MOS管为PMOS管，其源端连接至射频信号输入正端，其漏端通过第三电阻连接至电压源负端，其栅端通过第七电阻连接至偏置电压第2端，并通过第一电容连接至第四MOS管的源端；第四MOS管是PMOS管，其源端连接至射频信号输入负端，其漏端通过第四电阻连接至电压源负端，其栅端通过第八电阻连接至偏置电压第2端，并通过第二电容连接至第三MOS管的源端。

2.根据权利要求1所述的射频低噪声放大器，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管为MOSFET型晶体管或BJT型晶体管。

3.根据权利要求2所述的射频低噪声放大器，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管、第三晶体管和第四晶体管M4的宽长比分别为6.4/0.18，6.4/0.18，12/0.18，12/0.18。

4.根据权利要求1所述的射频低噪声放大器，其特征在于，所述第一电容、第二电容、第三电容和第四电容为MIM电容、PIP电容或者MOM电容。

5.根据权利要求4所述的射频低噪声放大器，其特征在于，第一电容、第二电容、第三电容和第四电容的电容值均为1.3pF。

6.根据权利要求1所述的射频低噪声放大器，其特征在于，所述第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻为多晶硅电阻。

7.根据权利要求6所述的射频低噪声放大器，其特征在于，所述第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和第八电阻的电阻值分别为1200ohm、1200ohm、450ohm、450ohm、15000ohm、15000ohm、15000ohm、15000ohm。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的射频低噪声放大器，其特征在于，所述偏置电压第1端和第2端的输入电压分别为1.2V，0.2V，所述电压源电压为1.8V。