[发明专利]底部阳极肖特基二极管

权利要求书

1.一种底部阳极肖特基二极管，其特征在于，该肖特基二极管包括设置在半导体衬底的底表面上的阳极电极，所述底部阳极肖特基二极管进一步包括：

设置在所述半导体衬底深处的下沉掺杂区域，该下沉掺杂区域基本延伸到设置在所述半导体衬底的底表面上的阳极电极，该下沉掺杂区域由具有肖特基阳极功能的埋设肖特基势垒金属覆盖；以及

所述的底部阳极肖特基二极管进一步包括从与所述肖特基势垒金属层相对的半导体衬底的顶表面附近的阴极电极横向延伸的横向阴极区域，其中，该横向阴极区域掺以与所述下沉掺杂区域相反的杂质并邻接所述下沉掺杂区域，从而在施加正向偏压下通过所述横向阴极区域和所述下沉掺杂区域在所述阴极电极和所述阳极电极之间形成电流路径，在施加反向偏压下所述下沉掺杂区域耗尽所述阴极区域从而阻断漏电流；

所述的阴极区域进一步包括阴极接触掺杂区域，为了接触覆盖所述阴极接触掺杂区域的阴极势垒金属，该阴极接触区域掺以较高的掺杂浓度；

该底部阳极肖特基二极管进一步包括：覆盖所述阴极区域的氧化层，该氧化层使所述埋设肖特基势垒金属与所述阴极接触掺杂区域绝缘；

该底部阳极肖特基二极管进一步包括：

覆盖所述阴极区域的场氧化层，该场氧化层使所述埋设肖特基势垒金属与所述阴极接触掺杂区域绝缘；以及

所述埋设肖特基势垒金属在所述场氧化层的顶表面上延伸以作为场平板；

该底部阳极肖特基二极管进一步包括：

覆盖所述阴极区域的氧化层，该氧化层使所述埋设肖特基势垒金属与所述阴极接触掺杂区域绝缘；以及

所述埋设肖特基势垒金属在所述氧化层的端表面自对准并截断；

该底部阳极肖特基二极管进一步包括：覆盖所述阴极区域并使所述埋设肖特基势垒金属与所述阴极接触掺杂区域绝缘的氧化层，和覆盖所述埋设肖特基势垒金属和所述氧化层的硼磷硅玻璃钝化层；

该底部阳极肖特基二极管进一步包括：设置在所述底部阳极肖特基二极管顶部的阴极金属，该阴极金属电接触所述阴极区域，从而具有所述阴极电极的功能；

该底部阳极肖特基二极管进一步包括：覆盖所述阴极区域并使所述埋设肖特基势垒金属与所述阴极接触掺杂区域绝缘的场氧化层，和用覆盖在所述场氧化层上的氧化层覆盖的多晶硅场平板。

2.如权利要求1所述的底部阳极肖特基二极管，其特征在于，所述的半导体衬底是P-型衬底，所述的下沉掺杂区域是P-型掺杂区域，以及所述的阴极区域是N-型掺杂区域。

3.如权利要求1所述的底部阳极肖特基二极管，其特征在于，该底部阳极肖特基二极管进一步包括：覆盖所述阴极区域的氧化层，该氧化层使所述埋设肖特基势垒金属与所述阴极接触掺杂区域绝缘。

4.如权利要求1所述的底部阳极肖特基二极管，其特征在于，该底部阳极肖特基二极管进一步包括：

覆盖所述阴极区域的场氧化层，该场氧化层使所述埋设肖特基势垒金属与所述阴极接触掺杂区域绝缘；以及

所述埋设肖特基势垒金属在所述场氧化层的顶表面上延伸以作为场平板。

5.如权利要求1所述的底部阳极肖特基二极管，其特征在于，该底部阳极肖特基二极管进一步包括：

覆盖所述阴极区域的氧化层，该氧化层使所述埋设肖特基势垒金属与所述阴极接触掺杂区域绝缘；以及

所述埋设肖特基势垒金属在所述氧化层的端表面自对准并截断。

6.如权利要求1所述的底部阳极肖特基二极管，其特征在于，该底部阳极肖特基二极管进一步包括：覆盖所述阴极区域并使所述埋设肖特基势垒金属与所述阴极接触掺杂区域绝缘的氧化层，和覆盖所述埋设肖特基势垒金属和所述氧化层的硼磷硅玻璃钝化层。

7.如权利要求1所述的底部阳极肖特基二极管，其特征在于，该底部阳极肖特基二极管进一步包括：设置在所述底部阳极肖特基二极管顶部的阴极金属，该阴极金属电接触所述阴极区域，从而具有所述阴极电极的功能。

8.如权利要求1所述的底部阳极肖特基二极管，其特征在于，所述的半导体衬底是在其上支撑P-型外延层的P-型衬底，所述的下沉掺杂区域是从所述外延层延伸到所述P-型衬底的P-型掺杂区域。