[发明专利]GOI硅片制作方法、GOI硅片及GOI检测方法

权利要求书

1.一种基于沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管VDMOS制作过程中的栅氧完整性GOI硅片制作方法，在硅衬底上生长一层初始氧化层，通过生长的初始氧化层做为屏蔽形成沟槽，形成沟槽后的硅衬底上生长栅氧化层，其特征在于，包括：

在形成沟槽以及生长栅氧化层的硅衬底上，生长一层多晶层；

在生长多晶层之后，将金属层掩模板与生长多晶层的硅衬底进行对准，其中，所述金属层掩模板是VDMOS制作过程中形成金属层时采用的掩模板；

采用光刻工艺，通过对准后的金属掩模板在生长多晶层的硅衬底上形成至少一个用于GOI检测的图形，形成GOI硅片。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶层的厚度为05.~2.0微米，生长多晶层的温度为600摄氏度。

3.一种栅氧完整性GOI硅片，其特征在于，包括：

硅衬底；

基于光刻工艺，通过生长在硅衬底上的初始氧化层做屏蔽形成的沟槽；

形成沟槽后的硅衬底上生长的栅氧化层；

在栅氧化层上生长的多晶层；以及

基于光刻工艺在生长的多晶层上形成的GOI测试图形，所述GOI测试图形和金属层掩模板图形一致，其中所述金属层掩模板是沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管VDMOS制作过程中形成金属层时采用的掩模板。

4.如权利要求3所述的GOI硅片，其特征在于，所述栅氧化层为氧化层、氮化层或高介电常数材料层。

5.如权利要求3所述的GOI硅片，其特征在于，所述沟槽的深度为1.0~2.0微米。

6.如权利要求3所述的GOI硅片，其特征在于，所述初始氧化层的厚度为0.1~1.0微米。

7.一种基于权利要求3所述的栅氧完整性GOI硅片进行GOI检测的方法，其特征在于，包括：

针对GOI硅片上的任一用于GOI检测的图形，确定所述待检测图形中生长的栅氧化层的面积；

在所述GOI硅片的多晶硅层和硅片衬底两端施加电压；

根据施加的电压值和确定的面积，进行GOI检测。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，确定所述图形中生长的栅氧化层的面积，包括：

确定待检测图形中包含的元胞的总数量，以及图形中单个元胞的长度值和宽度值；

确定沟槽型VDMOS的沟槽深度值；

根据确定出的总数量、单个元胞的长度值和宽度值，以及沟槽深度值，确定待检测图形中生长的栅氧化层的面积。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，采用下述公式，根据确定出的总数量、单个元胞的长度值和宽度值，以及沟槽深度值，确定待检测图形中生长的栅氧化层的面积：

S=2×(a+b)×D×N＋a×b×N

其中，S是待检测图形中生长的栅氧化层的面积，D是沟槽型VDMOS的沟槽深度值，N是待检测图形中包含的元胞的总数量，a是待检测图形中单个元胞的长度值，b是待检测图形中单个元胞的宽度值。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，根据施加的电压值和确定的面积，进行GOI检测，包括：

确定栅氧化层被击穿时施加的电压值；

根据栅氧化层被击穿时施加的电压值和确定出的面积，确定单位面积栅氧化层能够承受的电压值。