[发明专利]一种透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法有效
| 申请号: | 201310028623.5 | 申请日: | 2013-01-25 |
| 公开(公告)号: | CN103114269A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
| 发明(设计)人: | 邹友生;汪海鹏;张亦弛;涂承君;楼东;董宇辉;窦康 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
| 主分类号: | C23C14/28 | 分类号: | C23C14/28;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 马鲁晋 |
| 地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 透明 导电 氧化物 cualo sub 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法,其特征在于,采用脉冲激光等离子体沉积技术,以CuAlO2为靶材,在蓝宝石衬底上沉积CuAlO2薄膜,并通过高温气氛退火处理提升其结晶质量,具体包括以下步骤:
步骤1、采用蓝宝石为衬底材料,并对蓝宝石衬底进行表面清洗处理;
步骤2、安装CuAlO2陶瓷靶材,将表面清洗干净的蓝宝石衬底送入脉冲激光沉积系统的真空生长腔,并将其固定在衬底支架上,使衬底正面与靶材保持正对;
步骤3、采用机械泵和分子泵对真空生长腔抽真空,抽真空后的本底真空度小于或等于3×10-4Pa;
步骤4、加热衬底,使衬底升到所需温度,并向真空室内通入工作气体,通过控制气体流量,稳定腔内气压在一个固定值;
步骤5、开启激光器,通过激光烧蚀CuAlO2靶材,调节激光的能量、脉冲频率、工作气压、衬底温度和沉积时间这些工艺参数,在蓝宝石衬底上沉积CuAlO2薄膜;
步骤6、沉积结束后,关闭激光、衬底加热、机械泵和通气阀门,待样品冷却到室温取出;
步骤7、将沉积的样品放入真空管式炉中,通过机械泵和分子泵对石英管抽真空至5×10-4Pa,然后再通入保护性气体;
步骤8、设置真空管式炉的升温速率,使其加热至所需的退火温度,之后在保护性气氛下对CuAlO2薄膜进行退火热处理;
步骤9、退火结束且样品冷却到室温后,关闭管式炉、气瓶阀门,将样品取出。
2.根据权利要求1所述的透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1对蓝宝石衬底进行表面清洗处理具体为:将衬底浸入丙酮溶液中超声清洗,然后放入去离子水中超声清洗,之后冷风吹干。
3.根据权利要求1所述的透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法,其特征在于,步骤2中靶材与衬底的间距为50-70mm。
4.根据权利要求1所述的透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法,其特征在于,步骤4中衬底的所需温度为550-700℃,向真空室内通入的工作气体为氧气,通入氧气体后的压强为3-50Pa。
5.根据权利要求1所述的透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法,其特征在于,步骤5中激光能量为150-400mJ,脉冲频率1-10Hz,工作气压为3-50Pa,衬底温度为550-700℃,沉积时间1-2h。
6.根据权利要求1所述的透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法,其特征在于,步骤7中通入管式炉的保护性气体为Ar或N2,石英管内的气压稳定在一个大气压。
7.根据权利要求1所述的透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法,其特征在于,步骤8中真空管式炉的升温速率为10-25℃/min,所需的退火温度为900-1100℃,保温时间为10-60min,之后以15℃/min的速率降温至常温,完成退火处理。
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