[发明专利]一种准对称薄层结构二氧化硅膜的制备方法

权利要求书

1.一种准对称薄层结构二氧化硅膜的制备方法，其特征在于该方法是按以下步骤实现的：

一、支撑体的预处理：将厚度为10～50μm的不锈钢网浸入1mol/L的NaOH溶液中超声洗涤0.5～1.5h，取出后浸入1mol/L的HNO₃溶液中15～25min，然后用去离子水超声洗涤5～15min，再用无水乙醇超声洗涤5～15min，得到预处理后的不锈钢网；二、溶胶的制备：a、将正硅酸乙酯和乙醇按摩尔比1∶(3～5)的比例混合，室温下搅拌10min，得到正硅酸乙酯和乙醇的混合物；b、将质量百分含量为98％的HNO₃用水稀释至pH值为3，然后向硅酸乙酯和乙醇的混合物中滴加稀释后的HNO₃，进行搅拌同时加热直至温度为65～75℃，然后加入干燥控制剂PEG，恒温回流继续搅拌2～3h，得到溶胶；其中质量百分含量为98％的HNO₃与正硅酸乙酯的摩尔比为(0.5～0.9)∶1，PEG与正硅酸乙酯的摩尔比为(0.2～0.3)∶1；三、干燥凝胶化：将步骤二制备的溶胶在温度为20～40℃的条件下采用浸渍法涂覆在预处理后的不锈钢网上，然后在80-120℃的干燥箱中干燥2～4h，得到带有凝胶的不锈钢网；四、煅烧成膜：将带有凝胶的不锈钢网在350℃热处理15～25min，然后在550℃的条件下烧结2～4h，再冷却至室温；五、重复操作步骤三和步骤四3～5次，即完成一种准对称薄层结构二氧化硅膜的制备方法。

2.根据权利要求1所述的一种准对称薄层结构二氧化硅膜的制备方法，其特征在于步骤一中不锈钢网的孔径为1～3μm。

3.根据权利要求1或2所述的一种准对称薄层结构二氧化硅膜的制备方法，其特征在于步骤一中不锈钢网的厚度为45μm。

4.根据权利要求3所述的一种准对称薄层结构二氧化硅膜的制备方法，其特征在于步骤二中稀释后的HNO₃的滴加速度为30滴/min。

5.根据权利要求4所述的一种准对称薄层结构二氧化硅膜的制备方法，其特征在于步骤二中PEG与正硅酸乙酯的摩尔比为0.25∶1。

6.根据权利要求5所述的一种准对称薄层结构二氧化硅膜的制备方法，其特征在于步骤三中在温度为30℃中采用浸渍法涂膜。

7.根据权利要求6所述的一种准对称薄层结构二氧化硅膜的制备方法，其特征在于步骤三中在干燥箱中干燥3h。

8.根据权利要求7所述的一种准对称薄层结构二氧化硅膜的制备方法，其特征在于步骤四中将凝胶膜在350℃热处理20min。

9.根据权利要求8所述的一种准对称薄层结构二氧化硅膜的制备方法，其特征在于步骤四中在550℃的条件下烧结3h。

10.根据权利要求9所述的一种准对称薄层结构二氧化硅膜的制备方法，其特征在于步骤五中重复操作步骤三和步骤四4次。