[发明专利]一种微米/纳米二级表面阵列及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种Cu₂S“仙人掌”微纳二级阵列，其特征在于：纳米尺寸的Cu₂S纳米线生长在微米尺寸的Cu₂S球冠表面，Cu₂S球冠又周期性的分布在衬底的表面。 

2.根据权利要求1所述的Cu₂S“仙人掌”微纳二级阵列，其特征在于：所述Cu₂S纳米线的直径为10-500nm，长度为100nm-500μm。 

3.根据权利要求1所述的Cu₂S“仙人掌”微纳二级阵列，其特征在于：所述Cu₂S球冠的直径为0.5-100μm，球冠之间的间隔为0.01-100μm。

4.根据权利要求1所述的Cu₂S“仙人掌”微纳二级阵列，其特征在于：所述的衬底是陶瓷、云母、高分子塑料、金属、硅片、玻璃或不锈钢片中的一种。

5.权利要求1-4任一项所述的Cu₂S“仙人掌”微纳二级阵列的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)在导电衬底上，通过电化学沉积方法，制备具有球冠状周期性起伏结构的铜膜；

(2)将沉积了铜膜的衬底与氧气/硫化氢混合气体混合，0-200℃下加热1-500h，生成上述的Cu₂S“仙人掌”微纳二级阵列。

6.根据权利要求5所述的Cu₂S“仙人掌”微纳二级阵列的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述的电化学沉积法为脉冲电化学沉积、恒压电化学沉积或恒流电化学沉积；所述的沉积可以是采用一种电化学沉积方法共沉积也可以是采用其中的一种以上电化学沉积方法分步沉积。

7.根据权利要求5所述的Cu₂S“仙人掌”微纳二级阵列的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述的氧气/硫化氢混合气体中，硫化氢与氧气的体积比为1∶(0-100)。

8.权利要求1-4任一项所述的Cu₂S“仙人掌”微纳二级阵列在太阳能光电、光热转换中的应用。