[发明专利]CoFe合金的电沉积方法在审

专利信息
申请号: 201310025412.6 申请日: 2013-01-22
公开(公告)号: CN103290441A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: J·龚;I·塔巴科维克;S·瑞莫;M·C·考茨基 申请(专利权)人: 希捷科技有限公司
主分类号: C25D3/56 分类号: C25D3/56;C25D5/18
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张东梅
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: cofe 合金 沉积 方法
【权利要求书】:

1.一种在衬底上沉积磁性材料的方法,所述方法包括:

将衬底置于电镀液中,所述电镀液包括:

选自下组的添加剂:

丙二酸衍生物;

β-二酮和β-二酮的衍生物;以及

C6C3化合物和C6C3化合物衍生物;以及

通过使连接到衬底的电流脉冲导通和断开来在衬底上电化学沉积磁性材料。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述添加剂是选自下组的丙二酸衍生物:2-烯丙基丙二酸、2-甲基丙二酸、2-苯基丙二酸、2,2-二甲基丙二酸、及其组合。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述添加剂是选自下组的β-二酮或β-二酮的衍生物:1,3-茚二酮、戊二酮、2-苯基1,3-茚二酮、2-吡啶亚基-1,3-茚二酮、3-吡啶亚基-1,3-茚二酮、4-吡啶亚基-1,3-茚二酮、2-亚呋喃基-1,3-茚二酮、3-甲基戊二酮、及其组合。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述添加剂是选自下组的C6C3化合物或C6C3化合物衍生物:7-羟基香豆素、4-羟基香豆素、4,7-二羟基香豆素、松柏醇、及其组合。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述添加剂具有在电解质溶液中不高于约0.001M的浓度。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电解质溶液不包含糖精。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所沉积的磁性材料是CoFe。

8.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述CoFe具有至少约为2.3T的磁饱和。

9.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述CoFe具有在pH5.9的0.1MNaCl溶液中通过动电势曲线获得的相对于SCE的至少约-400mV的腐蚀电势。

10.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述CoFe具有不大于约500Mpa的膜应力。

11.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述CoFe的O、S、C、N、H和Cl的总浓度比存在糖精的情况下电沉积的CoFe低约3倍。

12.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在每个导通脉冲之间所述电流断开至少约400毫秒。

13.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在每个断开脉冲之间所述电流导通至少约200毫秒。

14.一种在衬底上沉积磁性材料的方法,所述方法包括:

将衬底置于电镀液中,其中所述电镀液不包含糖精;

通过脉冲调制连接到衬底的电流来在衬底上电化学沉积磁性材料,其中电流具有导通脉冲周期和断开脉冲周期,且其中断开脉冲周期至少约为400毫秒。

15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,所述添加剂是选自下组的丙二酸衍生物:2-烯丙基丙二酸、2-甲基丙二酸、2-苯基丙二酸、2,2-二甲基丙二酸、及其组合。

16.如权利要求14所述的方法,其特征在于,所述添加剂是选自下组的β-二酮或β-二酮的衍生物:1,3-茚二酮、戊二酮、2-苯基1,3-茚二酮、2-吡啶亚基-1,3-茚二酮、3-吡啶亚基-1,3-茚二酮、4-吡啶亚基-1,3-茚二酮、2-亚呋喃基-1,3-茚二酮、3-甲基戊二酮、及其组合。

17.如权利要求14所述的方法,其特征在于,所述添加剂是选自下组的C6C3化合物或C6C3化合物衍生物:7-羟基香豆素、4-羟基香豆素、4,7-羟基香豆素、松柏醇、及其组合。

18.如权利要求14所述的方法,其特征在于,所述添加剂具有在电解质溶液中不高于约0.001M的浓度。

19.如权利要求14所述的方法,其特征在于,所沉积的磁性材料是CoFe。

20.一种在衬底上沉积磁性材料的方法,所述方法包括:

将衬底置于电镀液中,所述电镀液包括:

不高于约0.001M的添加剂,其中所述添加剂选自下组:

丙二酸衍生物;

β-二酮和β-二酮的衍生物;以及

C6C3化合物和C6C3化合物衍生物;

通过脉冲调制连接到衬底的电流来在衬底上电解地沉积磁性材料,其中电流具有导通脉冲周期和断开脉冲周期,且其中断开脉冲周期至少约为400毫秒。

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