[发明专利]用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料有效
| 申请号： | 201310025243.6 | 申请日： | 2013-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103050624A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张中华;宋三年;宋志棠;吕叶刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C22C12/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 ga ge sb te 薄膜 材料 | ||
1.一种用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于：所述用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料的通式为GaxGeySbzTew，其中0<x≤16，23≤y≤28，26≤z≤31，30≤w≤40。
2.根据权利要求1所述的用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于：优选通式为Ga6Ge28Sb26Te40。
3.根据权利要求1所述的用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于：所述Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料采用溅射法、电子束蒸发法、化学气相沉积法、及原子层沉积法中的一种形成。
4.根据权利要求3所述的用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于：所述Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料采用GaSb和GST合金靶共溅射形成。
5.根据权利要求4所述的用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于：所述Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料优选采用GaSb和Ge3Sb2Te5合金靶共溅射形成。
6.根据权利要求5所述的用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于：所述Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料优选采用功率在9W至20W之间的GaSb合金靶和功率为25W的Ge3Sb2Te5合金靶共溅射形成。
7.根据权利要求6所述的用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于：所述Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料采用GaSb和Ge3Sb2Te5合金靶在溅射气压为0.18帕斯卡至0.25帕斯卡之间共溅射形成。
8.根据权利要求7所述的用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于：所述Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料采用GaSb和Ge3Sb2Te5合金靶共溅射30分钟形成。
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