[发明专利]一种薄膜晶体管结构、液晶显示装置及一种制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管结构，包括第一金属层，所述第一金属层上设有绝缘层，其特征在于，所述绝缘层表面在所述第一金属层正上方对应区域设有氧化铟镓锌材质的有源层，所述有源层的表面铺设有第二金属层，所述第二金属层在所述有源层的上表面设有缺口，所述有源层的上表面在所述缺口区域设有凹槽。

2.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第二金属层以缺口为界，缺口一端形成薄膜晶体管的源极金属层，缺口另一端形成薄膜晶体管的漏极金属层；所述有源层包括与源极金属层接触的第一区；与漏极金属层接触的第二区；与所述缺口对应的第三区，所述第三区的形状跟所述缺口形状一致；所述第一区和第二区的厚度一致，所述第三区的厚度小于第一区和第二区。

3.如权利要求2所述的一种薄膜晶体管结构，其特征在于，所述源极金属层包括覆盖在所述绝缘层表面的第一连接部，与第一连接部并跟所述有源层第一区侧面接触的第二连接部，覆盖在所述有源层第一区上表面并与第二连接部连接的第三连接部；所述漏极金属层包括覆盖在所述绝缘层表面的第四连接部，与第四连接部并跟所述有源层第二区侧面接触的第五连接部，覆盖在所述有源层第二区上表面并与第五连接部连接的第六连接部。

4.如权利要求2所述的一种薄膜晶体管结构，其特征在于，所述凹槽的深度为所述有源层最大厚度的0.1%～95%。

5.如权利要求4所述的一种薄膜晶体管结构，其特征在于，所述凹槽的深度为所述第一区厚度的0.2%～55%。

6.如权利要求1～5任一所述的一种薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第二金属层表面及缺口和凹槽内覆盖有配向层。

7.权利要求5所述的一种薄膜晶体管结构，其特征在于，所述配向层在漏极金属层表面覆盖有透明电极。

8.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第二金属层以缺口为界，缺口一端形成薄膜晶体管的源极金属层，缺口另一端形成薄膜晶体管的漏极金属层；所述有源层包括与源极金属层接触的第一区；与漏极金属层接触的第二区；连接第一区和第二区的第三区；所述第一区和第二区的厚度一致，所述第三区的厚度小于第一区和第二区；所述第一区跟缺口的一端平齐；所述第二区跟缺口的另一端平齐；所述第三区的上表面和第一区、第二区与缺口平齐的侧面组成所述凹槽；所述凹槽的深度为所述第一区厚度的0.1%～95%；所述第二金属层表面及缺口和凹槽内覆盖有配向层；配向层在漏极金属层对应的表面覆盖有跟所述漏极金属层电连接的透明电极；所述源极金属层包括覆盖在所述绝缘层表面的第一连接部，与第一连接部并跟所述有源层第一区侧面接触的第二连接部，覆盖在所述有源层第一区上表面并与第二连接部连接的第三连接部；所述漏极金属层包括覆盖在所述绝缘层表面的第四连接部，与第四连接部并跟所述有源层第二区侧面接触的第五连接部，覆盖在所述有源层第二区上表面并与第五连接部连接的第六连接部。

9.一种液晶显示装置，包括如权利要求1～8任一所述的一种薄膜晶体管结构。

10.一种薄膜晶体管的制作方法，包括步骤：

A、在基板上依次形成第一金属层、绝缘层、氧化铟镓锌材质的有源层和覆盖在所述有源层表面的源极金属层和漏极金属层，所述源极金属层和漏极金属层在有源层的上表面之间形成有缺口；

B：以源极金属层和漏极金属层为掩体，在有源层上表面蚀刻出凹槽。