[发明专利]光纤和光纤预制件

权利要求书

1.一种光纤，具有芯区域和包围所述芯区域的包层区域，所述芯区域含有平均浓度为0.2原子ppm以上10原子ppm以下的碱金属，所述芯区域还包含最小浓度为300原子ppm或更高的氯，其中与辐射暴露之前的衰减相比，在暴露在累积吸收剂量为0.10Gy的辐射后，所述光纤在1550nm波长处的衰减增量为0.02dB/km以下，其中所述原子ppm是在1百万单位的SiO₂中的掺杂原子的个数；所述吸收剂量是用于液态水的值，其为用于石英玻璃的值的1.1倍。

2.根据权利要求1所述的光纤，其中

所述氯的平均浓度为13,000原子ppm或更低。

3.根据权利要求1或2所述的光纤，其中

在所述芯区域中，所述碱金属为钾。

4.根据权利要求1或2所述的光纤，其中

所述氯的平均浓度为2,000原子ppm或更高。

5.根据权利要求1所述的光纤，其中

在1550nm波长处的衰减为0.180dB/km或更低。

6.根据权利要求2所述的光纤，其中

在1550nm波长处的衰减为0.180dB/km或更低。

7.根据权利要求3所述的光纤，其中

在1550nm波长处的衰减为0.180dB/km或更低。

8.根据权利要求4所述的光纤，其中

在1550nm波长处的衰减为0.180dB/km或更低。

9.根据权利要求1所述的光纤，其中

在所述芯区域中，所述氯的最小浓度为2,000原子ppm或更高；

在所述芯区域中，所述氯的平均浓度为大于或等于4,000原子ppm且小于或等于13,000原子ppm；

在所述芯区域中，所述碱金属的平均浓度为大于或等于0.2原子ppm且小于或等于10原子ppm；

在所述芯区域中，除了所述碱金属和卤素之外的其他掺杂剂的浓度小于所述芯区域中的所述卤素的平均浓度；并且在1550nm波长处的衰减为0.180dB/km或更低。

10.根据权利要求1、2、以及5至9中任一项所述的光纤，其中

在所述芯区域中，所述芯区域在径向坐标r1处具有最小折射率N1，所述径向坐标r1小于具有最大折射率N2的径向坐标r2。

11.根据权利要求3所述的光纤，其中

在所述芯区域中，所述芯区域在径向坐标r1处具有最小折射率N1，所述径向坐标r1小于具有最大折射率N2的径向坐标r2。

12.根据权利要求4所述的光纤，其中

在所述芯区域中，所述芯区域在径向坐标r1处具有最小折射率N1，所述径向坐标r1小于具有最大折射率N2的径向坐标r2。

13.根据权利要求10所述的光纤，其中

所述芯区域的中心轴处的折射率N3满足N1<N3<N2。

14.根据权利要求11或12所述的光纤，其中

所述芯区域的中心轴处的折射率N3满足N1<N3<N2。