[发明专利]基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法

权利要求书

1.一种基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于，所述基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法至少包括步骤：

a)在第一衬底上依次外延生长一掺杂的超晶格结构的单晶薄膜、中间层、缓冲层以及顶层薄膜；

b)对形成了顶层薄膜的结构进行低剂量离子注入，使离子注入到所述掺杂的超晶格结构的单晶薄膜上表面之上或下表面之下；

c)将具有绝缘层的第二衬底与已进行离子注入的结构进行等离子加强键合，并进行退火处理，使掺杂的超晶格结构的单晶薄膜处产生微裂纹来实现原子级的剥离。

2.根据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于：掺杂用的材料包括C、B、P、Ga、In、As、Sb中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于：超晶格结构是Si/Si_1-xGe_x(0<x≤1)、Si_1-xGe_x/Si_1-yGe_y(0<x、y≤1)、Si/Ge、SiGe/Ge、Ge/GaAs、GaAs/AlGaAs、GaAs/InAs、AlN/GaN、GaN/InN中的一种或多种混合，单晶薄膜的厚度在3nm至20nm之间。

4.根据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于：所述中间层的材料为四族元素、三五族元素、二六族元素、及氮化物中的一种，厚度不小于50nm。

5.根据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于：所述缓冲层的材料为四族元素、三五族元素、二六族元素、及氮化物中的一种，厚度不小于50nm。

6.根据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于：所述顶层薄膜的材料为四族元素、三五族元素、二六族元素、及氮化物中的一种，厚度大于等于5nm。

7.根据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于：离子注入剂量大于等于3E16/cm²。

8.据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于还包括步骤：d)对剥离后的结构进行化学腐蚀，以去除所述中间层及缓冲层。

9.根据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于：所述绝缘层为玻璃、氧化铝、二氧化钛、二氧化硅、氮化硅及氮化铝中的一种。