[发明专利]真空成膜装置有效
申请号: | 201310024257.6 | 申请日: | 2013-01-23 |
公开(公告)号: | CN103215573A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 冲本忠雄;玉垣浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社神户制钢所 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱美红;杨楷 |
地址: | 日本兵库*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 装置 | ||
1.一种真空成膜装置,具备:真空腔室;成膜辊,配置在该真空腔室内,并且卷挂作为成膜对象的片状的基材;磁场产生部,设在上述成膜辊的内部,在该成膜辊的表面上形成磁场;气体供给部,向上述真空腔室内供给原料气体;电源,产生用来使上述原料气体成为等离子的放电,其特征在于,
上述磁场产生部具有内侧磁铁和外侧磁铁,所述内侧磁铁沿着上述成膜辊的轴向配置,所述外侧磁铁具有与上述内侧磁铁相反的极性,以环状包围上述内侧磁铁;
上述内侧磁铁在从基材的成膜面观察的投影中,形成为与在上述成膜辊上卷挂着上述基材的范围的宽度相比沿着上述成膜辊的轴向宽度较窄,并且配置在卷挂上述基材的范围内。
2.如权利要求1所述的真空成膜装置,其特征在于,
在与上述成膜辊接触的上述基材的端部侧向辊外侧延伸的磁力线在以从上述外侧磁铁出来而朝向上述内侧磁铁的方向观察时,向上述成膜辊的端部侧倾斜。
3.如权利要求1所述的真空成膜装置,其特征在于,
在上述成膜辊的端部具备绝缘部件;
上述绝缘部件以该绝缘部件的外周面与上述成膜辊的中央部的外周面为同面的方式,将上述成膜辊的端部覆盖。
4.如权利要求1所述的真空成膜装置,其特征在于,
作为上述成膜辊,具备对置的两根成膜辊。
5.如权利要求4所述的真空成膜装置,其特征在于,
上述电源是高频等离子电源,构成为,其一个电极连接在一个成膜辊上,且另一个电极连接在另一个成膜辊上,相互为不同极。
6.如权利要求1所述的真空成膜装置,其特征在于,
具备掩模部件,所述掩模部件具有比上述基材的宽度窄的开放部;
上述掩模部件使上述卷挂的基材从上述开放部露出,并且以将上述基材的宽度方向的两端覆盖的方式将上述成膜辊覆盖。
7.如权利要求6所述的真空成膜装置,其特征在于,
上述掩模部件是金属制,与上述真空腔室是同电位。
8.如权利要求7所述的真空成膜装置,其特征在于,
上述掩模部件是非磁性的金属制。
9.如权利要求6所述的真空成膜装置,其特征在于,
上述掩模部件由绝缘物构成。
10.如权利要求6所述的真空成膜装置,其特征在于,
上述掩模部件具有作为上述开放部的开口,上述开口设在夹着成膜辊的表面与磁场产生部面对的位置上,使上述卷挂的基材从上述开口露出,并且在上述开口以外的部分,沿着上述基材的输送方向将上述成膜辊覆盖。
11.如权利要求7所述的真空成膜装置,其特征在于,
具有将上述掩模部件冷却的冷却机构。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的