[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310023827.X | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943501A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇;孟晓莹;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；
在所述半导体衬底的源/漏区中形成碗状凹槽；
依次执行一湿法清洗过程、一蚀刻后处理过程和一表面清洗过程，所述蚀刻后处理过程包括先后执行的高温热退火过程和氢气还原处理过程；
蚀刻所述碗状凹槽，以形成∑状凹槽。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成碗状凹槽的过程包括：先对所述半导体衬底的源/漏区进行第一蚀刻以形成凹槽，然后对所述凹槽进行第二蚀刻。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一蚀刻为采用干法蚀刻工艺的纵向蚀刻。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二蚀刻为采用干法蚀刻工艺的各向同性蚀刻。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法清洗的清洗液为氨水、双氧水和水的混合物以及稀释的氢氟酸的组合或者氨水、双氧水和水的混合物、臭氧水以及稀释的氢氟酸的组合。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高温热退火包括高温炉热退火、快速热退火、峰值退火或者激光退火。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述高温热退火的温度为300-450℃，时间为10-25s。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氢气还原处理的功率为100-500W，偏压为0V，压力为10-35torr。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氢气还原处理的还原气体为氢气、氢气和氮气的混合物或者氮气和一氧化碳的混合物。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面清洗的清洗液为稀释的氢氟酸。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻为湿法蚀刻。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述湿法蚀刻的腐蚀液为四甲基氢氧化铵溶液。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括依次层叠的栅极介电层、栅极材料层和栅极硬掩蔽层。
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