[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310023818.0 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943551A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、层间介电层和硬掩膜层，所述硬掩膜层由自下而上依次层叠的致密低κ介电层、SiC层和金属硬掩膜层构成；
在所述金属硬掩膜层中形成用于蚀刻沟槽的图形，以露出所述SiC层；
采用氧等离子体处理所述露出的SiC层；
执行一湿法清洗过程，以去除经过所述氧等离子体处理的SiC层；
在所述层间介电层中形成用于填充铜金属的沟槽和通孔；
执行另一湿法清洗过程，以去除所述金属硬掩膜层；
在所述沟槽和通孔的侧壁及底部形成铜种子层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiC层的厚度为20-500埃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层的构成材料为TiN、BN、AlN或者其任意的组合。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻停止层的材料为SiCN、SiC、SiN或BN。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述层间介电层的构成材料为具有低k/超低k值的材料。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧等离子体处理的工艺参数包括：功率100-2000W，压力0.1-100mtorr，氧的流量100-3000sccm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法清洗的清洗液是浓度为1∶1000-1∶100的稀释的氢氟酸。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述另一湿法清洗的清洗液为HCl或H2SO4。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述铜种子层之前，还包括在所述沟槽和通孔的侧壁及底部形成阻挡层的步骤。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为Ta/TaN或Ti/TiN。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述铜种子层之后，还包括在所述沟槽和通孔中填充铜金属的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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