[发明专利]一种裸芯片老炼用引出装置及老炼方法

权利要求书

1.一种裸芯片老炼用引出装置，其特征在于，包括相匹配的凸点基板和定位基板，凸点基板上设有通过导带（3）相连接的凸点（1）和外接焊盘（2），凸点（1）设置在凸点基板的内部，外接焊盘（2）设置在凸点基板的四周，凸点基板上还设有第一固定孔（4）和第一定位孔（5）；

定位基板上设有芯片放置孔（6），以及第二固定孔（7）和第二定位孔（8）；

当凸点基板和定位基板扣合后，凸点（1）与芯片放置孔（6）内放置的裸芯片的焊点相接触，第一定位孔（5）与第二定位孔（8）相对准，第一固定孔（4）与第二固定孔（7）相对准。

2.如权利要求1所述的裸芯片老炼用引出装置，其特征在于，凸点（1）根据待老炼的裸芯片的焊点分布而布设，将待老炼的裸芯片的所有的焊点分别通过导带（3）引出至外接焊盘（2）。

3.如权利要求1所述的裸芯片老炼用引出装置，其特征在于，所述的凸点基板为柔性印制板，导带（3）和外接焊盘（2）印制在柔性印制板上，凸点（1）电镀在柔性印制板上。

4.如权利要求1所述的裸芯片老炼用引出装置，其特征在于，所述的凸点（1）与裸芯片的焊点一对一相接触。

5.如权利要求1所述的裸芯片老炼用引出装置，其特征在于，所述的定位基板为环氧树脂基板，第一定位孔（5）与第二定位孔（8）相对准后通过定位螺栓相连接；通过第一定位孔（5）与第二定位孔（8）相对准来定位凸点（1）与裸芯片的焊点准确接触。

6.如权利要求1所述的裸芯片老炼用引出装置，其特征在于，裸芯片的焊点外引至外接焊盘（2）后，凸点基板和定位基板之间的接触电阻控制为：

两个外引线的电阻之和最大值为190～210mΩ，最小值为120～135mΩ，平均值为150～165mΩ；单个外引线的电阻平均值为80～85mΩ。

7.基于权利要求1所述裸芯片老炼用引出装置的老炼方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将裸芯片放置在定位基板的芯片放置孔内，将当凸点基板和定位基板对准并扣合后，使芯片焊点与凸点一一对应接触；将凸点基板和定位基板固定后，装入老化板中的插座中，在保护性气氛下，对裸芯片进行加电老化；

2）将老化后的裸芯片取出，将凸点基板和定位基板连接至封装芯片测试系统对裸芯片进行测试，加装环境保障装置后，进行三温测试。

8.如权利要求7所述的老炼方法，其特征在于，所述的步骤1）中的保护性气氛为氮气，氮气的体积含量低于0.5%。

9.如权利要求7所述的老炼方法，其特征在于，所述的步骤2）中环境保障装置提供保护气体，避免高温测试时芯片表面高温氧化，低温测试时芯片表面结霜。