[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 201310022156.5 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103050590A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 孙孝根 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
1.一种半导体发光器件，包括：
包括第一氮化物层和在所述第一氮化物层上的第二氮化物层的第一导电型半导体层；
在所述第一氮化物层上的具有多个突起的绝缘层；
设置在所述绝缘层的所述多个突起之间的空隙；
在所述第一导电型半导体层上的有源层；以及
在所述有源层上的第二导电型半导体层，
其中所述第二氮化物的表面具有不均匀的形状。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述绝缘层包括MgN层。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述绝缘层包括掺杂有n型掺杂剂和p型掺杂剂的氮化物半导体。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述第一导电型半导体层包括在所述第二氮化物层和所述有源层之间的第三氮化物层。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光器件，包括在所述第一氮化物层上的第一电极层。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述第二氮化物层的位错密度小于所述第一氮化物层的位错密度。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述突起中的每一个均具有约0.0001μm至约1μm的厚度和约至约3μm的间距。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光器件，还包括设置在所述第一氮化物层下的未掺杂半导体层。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光器件，还包括设置在所述第一氮化物层下的衬底。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光器件，还包括形成于所述绝缘层中的凹陷。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述第一导电型半导体层包括n型掺杂剂。
12.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述多个突起具有绝缘特性。
13.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述空隙设置在所述第二氮化物层内。
14.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述空隙设置在所述第一氮化物层和所述第二氮化物层之间。
15.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述空隙设置在全部的突起之间。
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