[发明专利]半导体封装件及其制法无效
| 申请号: | 201310021830.8 | 申请日: | 2013-01-21 |
| 公开(公告)号: | CN103915400A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
| 发明(设计)人: | 洪隆棠;林伟胜;叶孟宏 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制法 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
承载件,其具有多个电性连接垫;
半导体组件,其设于该承载件上,该半导体组件具有多个电极垫,且形成该电极垫或该电性连接垫的材质为铝材;
多个导电组件,其电性连接该电极垫与该电性连接垫;
氟离子,其形成于该导电组件与该电极垫之间、或该导电组件与该电性连接垫之间;以及
封装胶体,其形成于该承载件与该些导电组件上。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该导电组件为铜线或铜凸块。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该导电组件与该电极垫及该电性连接垫之间产生接口合金共化物。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该封装胶体中含有氯离子。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体封装件还包括氯化铝,其形成于该些电极垫与该些电性连接垫上。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该氟离子以氟化铝的形式存在。
7.一种半导体封装件的制法,其包括:
提供一具有多个电性连接垫的承载件;
设置至少一具有多个电极垫的半导体组件于该承载件上,且形成该电极垫或该电性连接垫的材质为铝材;
形成氟离子于该些电极垫上或该些电性连接垫上;
以多个导电组件电性连接该电极垫与该电性连接垫;以及
形成封装胶体于该承载件与该些导电组件上。
8.根据权利要求7所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该导电组件为铜线。
9.一种半导体封装件的制法,其包括:
提供一具有多个电性连接垫的承载件、及至少一具有多个电极垫的半导体组件,且形成该电极垫或该电性连接垫的材质为铝材,此外该些电极垫上或该些电性连接垫上具有氟离子;
以多个导电组件设置该半导体组件于该承载件上,且该些导电组件电性连接该电极垫与该电性连接垫;以及
形成封装胶体于该承载件与该些导电组件上。
10.根据权利要求9所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该导电组件为铜凸块。
11.根据权利要求7或9所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该导电组件与该电极垫及该电性连接垫之间产生接口合金共化物。
12.根据权利要求7或9所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该制法还包括以有机氟溶液清洗该电极垫或该电性连接垫,再残留微量氟离子,以形成该氟离子。
13.根据权利要求7或9所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该制法还包括形成氟化铝于该导电组件与该电极垫之间、或该导电组件与该电性连接垫之间。
14.根据权利要求7或9所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该封装胶体中含有氯离子。
15.根据权利要求14所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该制法还包括形成氯化铝于该些电极垫或该些电性连接垫上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司,未经矽品精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310021830.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件和制造半导体器件的方法
- 下一篇:CMOS晶体管及其形成方法





