[发明专利]至少含一个憎水嵌段组分碱性共聚物聚电解质及合成方法在审
| 申请号: | 201310021737.7 | 申请日: | 2013-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN103936992A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
| 发明(设计)人: | 曹曙光 | 申请(专利权)人: | 曹曙光 |
| 主分类号: | C08G75/23 | 分类号: | C08G75/23;C08G65/40;C08G65/48;H01M8/10;H01M8/02;C09D11/52;B01D71/80 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 至少 一个 憎水嵌段 组分 碱性 共聚物 电解质 合成 方法 | ||
技术领域
本发明属于高分子材料领域,具体涉及一种至少含一个憎水嵌段组分碱性共聚物聚电解质及合成方法。
背景技术
聚电解质按所带电荷可分为聚阳离子、聚阴离子及两性聚离子电解质根据离子基团在聚合物链上的位置,聚电解质又可以分为主链型和侧链型两大类。
在上述各种离子型聚合物中,人们对两性聚电解质有着浓厚的兴趣,这不仅是因为它在离子交换、废水处理、重金属螯合和化妆品等诸多领域有着广泛应用;更为重要的是,许多天然存在的生物分子(如蛋白质)本身就是两性聚电解质。因此,两性聚电解质的合成及性能研究成了人们关注的热点。
聚电解质兼有高分子长链和小分子电解质电离的双重结构特征,具有普通高分子所不具备的功能特性(如增黏、絮凝、静电相互作用等),这些特性使其具有极为广泛和重要的应用。近年来,随着膜科学与技术研究的不断发展,聚电解质作为一种新兴的膜材料得到了长足发展。人们对聚电解质的研究从天然高分子发展到合成高分子;从低密度电荷聚电解质发展到高密度电荷聚电解质;从聚电解质复合物发展到两亲性嵌段聚电解质。
发明内容
为解决上述问题,本发明的目的是提供一种至少含一个憎水嵌段组分碱性共聚物聚电解质及合成方法,合成的共聚物聚电解质所制备的膜材料具有很强的力学性能。
为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本发明通过以下技术方案实现:
至少含一个憎水嵌段组分碱性共聚物聚电解质,组成结构为:
-{-[-(-Ar1-X-Ar1-Y-Ar2-Y-)n-Ar1-X-Ar1-E-]a-(Ar3)b-E-(Ar2)c-Y-(Ar1-X-Ar1)d-}k-..........或
-{-[-Ar2-(-Ar1-X-Ar1-Y-Ar2-Y-)n-]a-(Ar3)b-Y-(Ar2)c-Y-(Ar1-X-Ar1)d-}k-..........其中--[-(-Ar1-X-Ar1-Y-Ar2-Y-)n-Ar1-X-Ar1-E-]a--为憎水聚合物M部分;
Ar1为苯基、奈基,三苯基、苯氰基或-Ar4--R1-Ar5--,其中R1为-C(O)--,--S(O)2--,--P(O)(C6H5)--,--C(O)-Ar-C(O)--或--C(O)-Ar6-S(O)2--,Ar4,Ar5,Ar6为芳香基团或取代芳香基团;
Ar2为-O-Ar7-R2-Ar8-O--;
R2为单个共价键,环烷烃C2H2n-2;
Ar7,Ar8为芳香基团或取代芳香基团;
其中X为-C(O)--,--S(O)2--,--P(O)(C6H5)--,
--C(O)-Ar-C(O)--或--C(O)-Ar6-S(O)2--Ar4,Ar5,Ar6为芳香基团或取代芳香基团;
Y为-S-,-O-;
E单个共价键,聚电解质为聚苯撑结构,或者为-S-,-O-,
n,为0到20的整数;
k,为20到200的整数;
a,b,c,d,为摩尔数或者为百分比,其中a+b+d=c;
Ar3为带亲水性离子基团的芳香基团部分,其结构为:
Z为氢原子或强吸电子基团,为CN,NO2或CF3;
A为-C(O)--或--S(O)2--;
B为-O--,--S--,--CH2--或--OCH2CH2O--;
Ar为芳香基团或取代芳香基团;
Ra,Rb,Rc,Rd,Re,Rf为烷基CnH2n+1,芳香烷基或芳香基团,其中Ra,Rb,Rc,Rd,Re,Rf相同或不同;
x,y,g,为1到100的整数。
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