[发明专利]用于沉积无氯保形SiN 膜的方法

权利要求书

1.一种在反应室中在衬底上形成氮化硅材料的方法，包括：

周期性将所述衬底暴露于无卤素含硅反应物的气相流，其中，所述无卤素含硅反应物被吸附在所述衬底的表面上；

将所述衬底暴露于第一含氮反应物的气相流，其中，所述含氮反应物被吸附在所述衬底的所述表面上；以及

当气相含氮反应物在所述反应室中存在并且所述无卤素含硅反应物的所述气相流已停止时，周期性地点燃所述反应室中的等离子体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述无卤素含硅反应物是三硅烷基胺（TSA）。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一含氮反应物是无碳的。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一含氮反应物是胺。

5.根据权利要求1-3中的任何一项所述的方法，其中，所述第一含氮反应物是无碳的，且所述方法进一步包括使含有碳的第二含氮反应物的气相流流动。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二含氮反应物是C1-10烷基胺。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其中，所述第一含氮反应物与所述第二含氮反应物的体积流量比介于约1:1和10:1之间。

8.根据权利要求5或6所述的方法，其中，所述第一含氮反应物与所述第二含氮反应物的体积流量比介于约1:1和4:1之间。

9.根据权利要求5或6所述的方法，其中，所述第一含氮反应物与所述第二含氮反应物的体积流量比介于约1:10和1:1之间。

10.根据权利要求5或6所述的方法，其中，所述第一含氮反应物与所述第二含氮反应物的体积流量比介于约1:4和1∶1之间。

11.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述衬底包括锗-碲-锑合金、在其上形成所述氮化硅材料的金属表面以及在其上形成所述氮化硅材料的氧化物表面中的一个；。

12.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述等离子体或活化能的源是具有功率为在约0.15W/cm²和0.5W/cm²之间的RF等离子体。

13.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述等离子体或活化能的源是具有功率为在约1W/cm²和3W/cm²之间的RF等离子体。

14.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述等离子体或活化能的源是仅HF的RF等离子体。

15.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述衬底的温度保持在不超过约400℃。

16.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述衬底的温度保持在不超过约375℃。

17.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述衬底的温度保持在不超过约350℃。

18.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述衬底的温度保持在不超过约325℃。

19.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述氮化硅材料的应力在约-4GPa和-2GPA之间。

20.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述氮化硅材料的应力在约-2GPa和1GPA之间。

21.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述氮化硅材料是无卤素的。

22.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述衬底的表面包括一个或多个凸起或凹陷的特征，并且所述氮化硅材料对所述一个或多个凸起或凹陷的特征是保形的。