[发明专利]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201310020951.0 | 申请日: | 2013-01-21 |
公开(公告)号: | CN103325336B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 金在福;李宽熙;宋原准;沈泰揆;申惠林 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G09G3/3225 | 分类号: | G09G3/3225;H01L27/12 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 宋颖娉,罗正云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
技术领域
本发明各实施例涉及有机发光二极管(OLED)显示器。更具体地,本发明各实施例涉及具有稳定发光特性的OLED显示器。
背景技术
与液晶显示器(LCD)不同,有机发光二极管(OLED)显示器不使用独立的光源,从而使其可能被实现为重量轻且薄的显示器。此外,由于有机发光二极管显示器具有诸如低功耗、高亮度、短暂的响应时间之类的高品质特性,因此其被看作是下一代显示设备。
OLED包括多个发光二极管,每个发光二极管具有空穴注入电极、有机发射层和电子注入电极。电子和空穴在有机发射层中彼此结合,从而产生激子。当激子从激发态跃迁到基态时,产生能量从而发射光,并且利用所发射的光显示图像。在这种情况下,有机发光元件(例如,有机发光二极管)从驱动薄膜晶体管接收驱动电流。
然而,当驱动薄膜晶体管处于截止状态时,有机发光元件可能由于漏电流而引起发光。也就是说,有机发光元件在黑色模式下可能由于漏电流而引起发光,使得OLED显示器的对比度可能劣化。
另外,由于漏电流而导致的有机发光元件不期望的发光可能缩短有机发光元件的寿命。
在该背景部分中公开的上述信息仅仅是为了增强对本发明背景的理解,因此其可包含不构成在本国为本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明各实施例致力于提供具有提高的亮度特性的有机发光二极管显示器。
根据本发明示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器包括:开关晶体管,被配置为根据扫描信号执行开关操作;驱动晶体管,被配置为根据按照所述开关晶体管的开关操作所传输的数据信号供应驱动电流;有机发光元件,与所述驱动晶体管电连接,并且被配置为根据所述驱动电流发光;电阻器,具有与所述有机发光元件的阳极连接的第一端;以及旁路线,与所述电阻器的第二端连接。
所述电阻器可与所述开关晶体管和所述驱动晶体管中至少之一的半导体层形成在同一层中。
所述OLED显示器可进一步包括将所述有机发光元件的阳极与所述电阻器的第一端连接的连接部件。
所述连接部件可与所述开关晶体管和所述驱动晶体管中至少之一的源电极和漏电极形成在同一层中。
所述旁路线包括可被配置为初始化所述驱动晶体管的初始化电压线。
所述初始化电压线可与所述开关晶体管和所述驱动晶体管中至少之一的栅电极形成在同一层中。
所述OLED显示器可进一步包括与所述驱动晶体管的源电极连接的第一电力线和与所述有机发光元件的阴极连接的第二电力线。另外,所述旁路线可与所述第二电力线电连接。
所述旁路线可与所述开关晶体管和所述驱动晶体管中至少之一的栅电极形成在同一层中。
所述OLED显示器可进一步包括被配置为供应所述扫描信号的扫描线,并且所述旁路线和所述扫描线可彼此基本平行地形成同一层中。所述有机发光元件可包括位于所述阳极上的有机发射层和位于所述有机发射层上的阴极,并且所述旁路线可与所述阴极连接。
所述电阻器可与所述开关晶体管和所述驱动晶体管中至少之一的源电极和漏电极形成在同一层中。
所述电阻器的第一端可与所述阳极直接连接。
所述有机发射层可包括:主发射层,与所述阳极相对应,并且被配置为发光;空穴迁移层,位于所述主发射层和所述阳极之间,并且与所述阴极相对应;以及电子迁移层,布置在所述主发射层和所述阴极之间,并且与所述阴极相对应;并且所述旁路线可包括:附属线,与所述电阻器的第二端直接连接,并且与所述阳极形成在同一层中;与所述附属线直接连接并且与所述附属线相对应的空穴迁移层;以及与所述附属线相对应的电子迁移层。
所述电阻器层可被层压在所述阳极上。
所述电阻器的第一端可与所述阳极直接连接。
所述有机发射层可包括:主发射层,与所述阳极相对应,并且被配置为发光;空穴迁移层,位于所述主发射层和所述阳极之间,并且与所述阴极相对应;以及电子迁移层,位于所述主发射层和所述阴极之间,并且与所述阴极相对应;并且所述旁路线可包括:与所述电阻器直接连接并且与所述电阻器相对应的空穴迁移层;和与所述电阻器相对应的电子迁移层。
根据本发明的各示例性实施例,可提高OLED显示器的亮度特性。
附图说明
图1是根据本发明第一示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素布局图。
图2是沿线II-II截取的图1的剖视图。
图3是图1的像素的示意电路图。
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